[发明专利]一种用于钐钴磁体工件表面防护的方法

权利要求书

1.一种用于钐钴磁体工件表面防护的方法，其特征在于，在预处理的钐钴磁体工件表面沉积Ni系薄膜，再经真空热处理，得到表面防护的钐钴磁铁；

所述的Ni系薄膜为NiCrAlY薄膜，组成为Ni₃₀Cr₈Al_0.5Y；

所述的Ni系薄膜表面沉积有防护膜，所述的防护膜为氧化膜和/或氮化膜，所述的氧化膜为Al₂O₃膜、ZrO₂膜、Cr₂O₃膜、TiO₂膜、MgO₂膜、SiO₂膜中的至少一种；氮化膜为AlN膜、ZrN膜、CrN膜、TiAlN膜、MgN膜中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的用于钐钴磁体工件表面防护的方法，其特征在于，所述的Ni系薄膜采用蒸发镀、溅射镀、离子镀或喷涂的方法在钐钴磁体工件表面进行沉积。

3.根据权利要求2所述的用于钐钴磁体工件表面防护的方法，其特征在于，所述的Ni系薄膜采用磁控溅射法在钐钴磁体工件表面进行沉积，沉积工艺为：采用惰性气体为工作气体，工作气压为0.1～5.0Pa，单位靶面积的溅射功率为1～10w/cm²。

4.根据权利要求3所述的用于钐钴磁体工件表面防护的方法，其特征在于，所述的Ni系薄膜厚度为3～20μm，为一层或多层。

5.根据权利要求1所述的用于钐钴磁体工件表面防护的方法，其特征在于，所述防护膜的厚度为3～15μm，为一层或多层。

6.根据权利要求1所述的用于钐钴磁体工件表面防护的方法，其特征在于，所述的防护膜为Al₂O₃膜。

7.根据权利要求6所述的用于钐钴磁体工件表面防护的方法，其特征在于，按质量百分比计，所述的防护膜为非晶态Al₂O₃膜。

8.根据权利要求1所述的用于钐钴磁体工件表面防护的方法，其特征在于，所述的真空热处理温度为200～600℃，时间为1～5h。