[发明专利]一种TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410521312.7 申请日: 2014-10-04
公开(公告)号: CN104741134A 公开(公告)日: 2015-07-01
发明(设计)人: 曲晓飞;杜芳林;候雨尘 申请(专利权)人: 青岛科技大学
主分类号: B01J27/04 分类号: B01J27/04;B01J35/02;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 代理人:
地址: 266000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 tio2 zns 双层 复合 纳米 阵列 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,其特征在于:

(1)选用多孔阳极氧化铝膜为模板,以分析纯Zn(CH3COO)2,Na2S2O3和TiF4作为原料。

(2)配置一定浓度的TiF4水溶液,将阳极氧化铝模板浸入所配溶液中,保持体系温度一定范围,适当时间,使TiO2前驱体溶胶均匀沉积到阳极氧化铝模板的孔道中。

(3)将步骤(2)所得产品取出在烘箱中干燥一段时间,得到含有阳极氧化铝模板的TiO2前驱体纳米管阵列。

(4)将负载有TiO2前驱体的阳极氧化铝模板浸入到一定浓度的Zn(CH3COO)2和Na2S2O3溶液中,在以聚四氟乙烯为内衬的水热釜中保持水热温度适当范围,水热处理一段时间。随后将产物用去离子水洗干净,烘干。最终得到含有阳极氧化铝模板的TiO2包覆PbS的双层复合纳米管阵列。

2.如权利要求1所述的TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,其特征在于所述的模板为多孔阳极氧化铝膜,膜厚度为20~60μm,孔道直径为100~250nm,膜孔道上下通孔。

3.如权利要求1所述的TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,其特征在于所述的TiO2/ZnS复合纳米管长度为20~60μm,壁厚为20~80nm。

4.如权利要求1所述的TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,其特征在于所述的TiF4溶液浓度为0.01~1mol/L。

5.如权利要求1所述的TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,保持TiF4溶液温度40~100℃,时间3~15min。

6.如权利要求1所述的TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,其特征在于将负载有TiO2前驱体的阳极氧化铝模板在烘箱中干燥的温度为50~100℃,干燥时间为0.5~2h。

7.如权利要求1所述的TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,其特征在于所述的Na2S2O3和Zn(CH3COO)2水溶液的浓度为0.01~2mol/L。

8.如权利要求1所述的TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,其特征在于步骤(4)中采用水热反应,水热温度为100~200℃,水热处理时间2~24h。

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