[发明专利]一种TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法有效
申请号: | 201410521312.7 | 申请日: | 2014-10-04 |
公开(公告)号: | CN104741134A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 曲晓飞;杜芳林;候雨尘 | 申请(专利权)人: | 青岛科技大学 |
主分类号: | B01J27/04 | 分类号: | B01J27/04;B01J35/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 266000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tio2 zns 双层 复合 纳米 阵列 制备 方法 | ||
1.一种TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,其特征在于:
(1)选用多孔阳极氧化铝膜为模板,以分析纯Zn(CH3COO)2,Na2S2O3和TiF4作为原料。
(2)配置一定浓度的TiF4水溶液,将阳极氧化铝模板浸入所配溶液中,保持体系温度一定范围,适当时间,使TiO2前驱体溶胶均匀沉积到阳极氧化铝模板的孔道中。
(3)将步骤(2)所得产品取出在烘箱中干燥一段时间,得到含有阳极氧化铝模板的TiO2前驱体纳米管阵列。
(4)将负载有TiO2前驱体的阳极氧化铝模板浸入到一定浓度的Zn(CH3COO)2和Na2S2O3溶液中,在以聚四氟乙烯为内衬的水热釜中保持水热温度适当范围,水热处理一段时间。随后将产物用去离子水洗干净,烘干。最终得到含有阳极氧化铝模板的TiO2包覆PbS的双层复合纳米管阵列。
2.如权利要求1所述的TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,其特征在于所述的模板为多孔阳极氧化铝膜,膜厚度为20~60μm,孔道直径为100~250nm,膜孔道上下通孔。
3.如权利要求1所述的TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,其特征在于所述的TiO2/ZnS复合纳米管长度为20~60μm,壁厚为20~80nm。
4.如权利要求1所述的TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,其特征在于所述的TiF4溶液浓度为0.01~1mol/L。
5.如权利要求1所述的TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,保持TiF4溶液温度40~100℃,时间3~15min。
6.如权利要求1所述的TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,其特征在于将负载有TiO2前驱体的阳极氧化铝模板在烘箱中干燥的温度为50~100℃,干燥时间为0.5~2h。
7.如权利要求1所述的TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,其特征在于所述的Na2S2O3和Zn(CH3COO)2水溶液的浓度为0.01~2mol/L。
8.如权利要求1所述的TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法,其特征在于步骤(4)中采用水热反应,水热温度为100~200℃,水热处理时间2~24h。
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