[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法和具有该器件的显示器有效
申请号: | 201410522062.9 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104253242B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 陈鹏 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 周晨 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 具有 显示器 | ||
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件从下至上依次包括:基板(1),阴极层(2),有机发光层(4)和阳极层(8),其中:
所述有机电致发光器件还包括金属层(6),所述金属层(6)形成在所述有机发光层(4)与所述阳极层(8)之间。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,在所述金属层(6)与阳极层(8)之间还包括钝化层(7),所述钝化层(7)为在形成阳极层(8)时氧化一部分所述金属层(6)得到。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述金属层(6)为金属铝层,所述钝化层(7)为Al2O3钝化层。
4.根据权利要求1至3中任一所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述金属层的厚度为10~15nm;所述金属层(6)为光学半透层并且与阴极层(2)共同构成微共振腔。
5.根据权利要求1至3中任一所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阴极层(2)由锂铝合金制成,厚度为200~300nm。
6.根据权利要求1至3中任一所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件为顶发光器件。
7.根据权利要求1至3中任一所述的有机电致发光器件,其特征在于还包括电子注入及传输层(3),所述电子注入及传输层(3)布置在所述阴极层(2)和所述有机发光层(4)之间。
8.根据权利要求1至3中任一所述的有机电致发光器件,其特征在于还包括空穴传输及注入层(5),所述空穴传输及注入层(5)布置在所述有机发光层(4)和所述金属层(6)之间。
9.根据权利要求1至3中任一所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阳极层(8)由氧化铟锡制成。
10.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述制备方法至少包括以下步骤:
步骤1,在基板(1)上形成阴极层(2);
步骤2,在阴极层(2)上形成有机发光层(4);
步骤3,在所述有机发光层(4)上形成金属层(6);以及
步骤4,在金属层(6)上形成阳极层(8)。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,在所述形成阳极层(8)的步骤4中,在形成阳极层(8)的同时将部分金属层(6)氧化以得到钝化层(7)。
12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,所述金属层(6)为金属铝层,而所述钝化层(7)为Al2O3钝化层。
13.根据权利要求10至12中任一所述的制备方法,其特征在于,所述金属层的厚度为10~15nm;以及,所述金属层(6)为光学半透层并且与阴极层(2)共同构成微共振腔。
14.根据权利要求10至12中任一所述的制备方法,其特征在于,所述阴极层(2)由锂铝合金制成,厚度为200~300nm。
15.根据权利要求10至12中任一所述的制备方法,其特征在于,所述有机电致发光器件为顶发光器件。
16.根据权利要求10至12中任一所述的制备方法,其特征在于,在形成有机发光层(4)的步骤之前在阴极层(2)上形成电子注入及传输层(3);其中,所述电子注入及传输层(3)和所述有机发光层(4)由具有低功函数的材料制成。
17.根据权利要求10至12中任一所述的制备方法,其特征在于,在形成金属层(6)的步骤之前在有机发光层(4)上形成空穴传输及注入层(5);其中,所述空穴传输及注入层(5)由具有高功函数的材料制成。
18.根据权利要求10至12中任一所述的制备方法,其特征在于,所述阳极层(8)由氧化铟锡制成。
19.一种显示器,其特征在于,包括如权利要求1至9中任一所述的有机电致发光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择