[发明专利]用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法有效
| 申请号： | 201410522199.4 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104241527B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 纪兴龙;吴良才;朱敏;饶峰;宋志棠;曹良良;孟云;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 sb te 材料 体系 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系，其特征在于，所述V-Sb-Te相变材料体系为在Sb-Te相变材料体系基础上掺V而成，其化学通式为V100-x-ySbxTey，其中，0.5≤x/y<4，且50≤x+y≤99.99，所述V-Sb-Te相变材料体系在电脉冲作用下可以实现电阻率的可逆转变，实现存储数据的功能，其中，所述V-Sb-Te系列材料采用SbxTey合金靶以及V单质靶进行共溅射，或者使用Sb单质靶，Te单质靶和V单质靶三靶共溅射法制备。
2.根据权利要求1所述的用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系，其特征在于：在所述V100-x-ySbxTey中，1.6≤x/y<4。
3.根据权利要求1所述的用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系，其特征在于：在所述V100-x-ySbxTey中，x的取值范围为20≤x≤80，y的取值范围为10≤y≤65。
4.根据权利要求1所述的用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系，其特征在于：所述V-Sb-Te相变材料体系中，V原子百分含量不大于50％。
5.根据权利要求4所述的用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系，其特征在于：所述V-Sb-Te相变材料体系中，V原子百分含量为0.1％～30％。
6.一种如权利要求1～5任意一项所述的用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系的制备方法，其特征在于：根据化学通式V100-x-ySbxTey中V、Sb与Te的不同配比，采用物理气相沉积法制成V-Sb-Te薄膜材料。
7.根据权利要求6所述的用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系的制备方法，其特征在于：根据化学通式V100-x-ySbxTey中V、Sb与Te的不同配比，采用SbxTey合金靶以及V单质靶进行共溅射，或者使用Sb单质靶，Te单质靶和V单质靶三靶共溅射的方式制成V-Sb-Te薄膜材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410522199.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
