[发明专利]背照式CIS产品的制作方法在审
| 申请号： | 201410522344.9 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104393006A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 何理;许向辉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 cis 产品 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种背照式CIS产品的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底正面形成有晶体管，所述晶体管上形成有互连层；
对所述半导体衬底背面进行减薄；
在减薄后的半导体衬底的背面进行离子注入，在减薄后的半导体衬底中形成高能离子注入区；
在半导体衬底背面形成滤光片。
2.如权利要求1所述的CIS产品的制作方法，其特征在于，所述离子注入为低能离子注入。
3.如权利要求1所述的CIS产品的制作方法，其特征在于，所述减薄利用化学机械研磨工艺进行。
4.如权利要求1所述的CIS产品的制作方法，其特征在于，减薄后的半导体衬底的厚度范围为4500-5500埃。
5.如权利要求1所述的CIS产品的制作方法，其特征在于，所述离子注入的能量范围为50-210KeV,所述离子注入形成的高能离子注入区距离半导体正面的距离为3300-3700埃，所述高能离子注入区距离减薄后的半导体衬底的背面的距离为800-1200埃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
