[发明专利]刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410522599.5 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105448704B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 单朝杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底；
在所述半导体基底上形成第一掩模层；
在所述第一掩模层上形成第二掩模层；
在所述第二掩模层内形成第一开口，所述第一开口露出部分所述第一掩模层；
对所述第一开口露出的第一掩模层进行硬化处理，形成硬化层；
在所述硬化层中形成第二开口，使所述第二开口具有倾斜侧壁且第二开口的顶端尺寸大于底部尺寸；
以剩余硬化层为掩模刻蚀所述半导体基底形成第三开口。
2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述硬化层中形成第二开口后，剩余硬化层自所述第一开口的侧壁至所述第一开口中心位置厚度逐渐减小。
3.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一掩模层的材料为高分子有机材料。
4.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一掩模层为底部抗反射层。
5.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，对所述第一开口露出的第一掩模层表面进行硬化处理的方法为电子束辐射工艺。
6.如权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，所述电子束辐射工艺的步骤包括：电压为300V～2000V，电流为1PA～60PA，辐射时间为1ms～60s，电子能量为0.3kev～2kev。
7.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述硬化层与第一掩模层的厚度比为1:5～1:1。
8.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述硬化层的厚度为10纳米～200纳米。
9.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述硬化层中形成第二开口的步骤包括：采用干法刻蚀工艺刻蚀所述硬化层，以形成所述第二开口。
10.如权利要求9所述的刻蚀方法，其特征在于，刻蚀所述硬化层的步骤包括：采用含有氧气的气体作为刻蚀气体，或是采用含有氮气和氢气的气体作为刻蚀气体。
11.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第二掩模层为光刻胶掩模层；
在所述第二掩模层内形成第一开口的步骤为，采用曝光显影工艺在所述第二掩模层内形成所述第一开口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410522599.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
