[发明专利]一种测量IC塑封金线偏移量的方法在审
申请号: | 201410522931.8 | 申请日: | 2014-10-03 |
公开(公告)号: | CN104217975A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 安静;曹阳根;吴文云;邓沛然;张峰;张涛 | 申请(专利权)人: | 上海工程技术大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 何葆芳 |
地址: | 201620 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测量 ic 塑封 偏移 方法 | ||
1.一种测量IC塑封金线偏移量的方法,其特征在于,包括如下步骤:
a)采集封装前金线的影像图和对金线进行编号;
b)采集封装后金线的X-ray图;
c)等比例叠加封装前后图;
d)测量叠加后图片中的金线偏移量。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤a)利用影像测量仪采集封装前金线影像图。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤a)对金线按顺时针或逆时针进行编号。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤b)利用X射线检测仪、以与步骤a)相同的放大倍率采集金线的X-ray图片。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤c)采用图像处理软件对封装前后图自设定至少三个重合基准点,使封装前后图等比例叠加。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:步骤c)在叠加前,先将封装前金线影像图的透明度调整为50%。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤d)利用影像测量仪测量前后金线的偏移量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海工程技术大学,未经上海工程技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410522931.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种升降器驱动部总成
- 下一篇:吊门关门器结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造