[发明专利]一种单晶SiC及其制作方法

权利要求书

1.涉及一种单晶SiC及其制作方法，尤其是有完整单晶SiC结构特性，可以用作面材、薄膜、线材的以单晶SiC为主、复合而成，或者纯单晶SiC组成的单晶及其制作方法，其制作方法由二步组成：网格状、集束状的单晶SiC复合体生成与二次补偿单晶SiC生成，二次补偿也可不要，如模板适宜直接第一步即可形成单晶，

其特征是：以定向附着生长（oreintedattachment）原理，形成网格状、集束、薄膜状的单晶SiC、或其复合体，具有完整SiC单晶结构特性。

2.根据权利要求1所述的单晶SiC及其制作方法，其特征是：可加入二次补偿，填平晶体网格孔隙、及缺陷，生成单晶SiC。

3.根据权利要求1所述的单晶SiC及其制作方法，其特征是：可软模板、也可纤维、薄膜类硬模板。

4.根据权利要求1所述的单晶SiC及其制作方法，其特征是：可形成SiC单晶纤维、也可薄膜。