[发明专利]产生待使用自对准双图型化程序绕线技术制造的电路布局的方法

说明书

本文揭露一种产生待使用自对准双图型化程序绕线技术制造的电路布局的方法，该方法还含括产生一组心轴掩膜规则、阻隔掩膜规则、以及虚拟、软体式非心轴金属掩膜。本方法也包括建立一组其为心轴掩膜规则仿件的虚拟非心轴掩膜规则、基于心轴掩膜规则、阻隔掩膜规则及虚拟非心轴掩膜规则产生一组金属绕线设计规则、基于金属绕线设计规则产生电路绕线布局、将电路绕线布局分解成心轴掩膜图型及阻隔掩膜图型、产生对应于心轴掩膜图型的第一组掩膜资料、以及产生对应于阻隔掩膜图型的第二组掩膜资料。

技术领域

本揭示大体涉及尖端半导体装置的制造，并且更具体地说，涉及产生电路布局的各种方法，此等电路布局待使用自对准双图型化(self-aligned double patterning，SADP)绕线技术予以形成。

背景技术

光微影是制造集成电路产品时所用的其中一种基本程序。非常高层级的光微影含括：(1)在一层材料或基材上面形成一层光或辐射敏感材料(如：光阻)；(2)令辐射敏感材料选择性地曝照于光源(如：DUV或EUV源)所产生的光，以将掩膜(mask)或分划板(如本文所用属于可互换的术语)所界定的图型转移至辐射敏感材料；以及(3)令所曝照辐射敏感材料层显影以界定图型化掩膜层。接着可透过图型化掩膜层，在底层材料或基材上，进行各个程序运作，如：蚀刻或离子布植程序。

当然，集成电路制造的终极目的是要在集成电路产品上忠实重现原始电路设计。在过去，集成电路产品中运用的是能使用单一图型化光阻掩膜层形成理想图型的特征尺寸及间距。然而，近年来，装置尺寸及间距的制点(point)已缩减到，现有光微影工具(例如：193nm波长光微影工具)无法以总体目标图型的所有特征形成单一图型化掩膜层。因此，装置设计师已诉诸含括进行多重曝照以在一层材料中界定单一目标图型的技术。此类技术的一大体上称为多重图型化，例如：双图型化。一般来说，双图型化是一种曝照方法，其含括将密集的总体目标电路图型切分(也就是划分或或隔开)成两个单独、密集性较低的图型。接着利用两个单独掩膜(掩膜之一用于令一密集性较低的图型成像，而另一掩膜则是用于令另一密集性较低的图型成像)，在晶圆上单独印刷简化、密集性较低的图型。另外，在某些情况下，是在第一图型的线件之间印刷第二图型，使得所成像晶圆的特征间距例如为这两个较低密集掩膜任一者的一半。这种技术有效降低光微影程序的复杂度，改良可达成的解析度，并且能印刷小更多的特征，这是无法使用现有光微影工具达成的。SADP程序即此类多重图型化技术的其中一种。由于SADP程序在使用时可能有较佳的迭对控制，SADP程序在制造下一代装置方面可为引人注目的解决方案，对于此类下一代装置上的金属绕线尤其如此。

如上所述，集成电路设计最终是在一批层件中，将电路布局转移至半导体基材而制成，此批层件将共同令构成装置的特征成形，此等装置构成集成电路的组件。然而，在能制造布局之前，必须先进行布局的确认程序。布局设计师在设计现代集成电路产品的电路布局时，使用非常尖端的电子设计自动化(EDA)工具并且进行编程。谈到双图型化技术，总体目标图型必须属于所谓的符合双图型化。一般来说，这意味着能够将总体目标图型分解成两个单独图型，可在单一层件中使用现有光微影工具印刷各图型。布局设计师有时引用「颜色」来称呼此类图型，其中，第一颜色将在EDA工具用于代表第一掩膜，而第二、不同颜色将在EDA工具中用于代表第二掩膜。若布局不符合双图型化，有时称为在两个掩膜之间出现「着色冲突(coloring conflict)」。总体目标图型可能有许多无法印刷的区域(regionsor areas)，这是因为那些区域对现有光微影工具而言，彼此相隔太紧密，以致无法将此类相隔紧密的特征印刷成个别特征。若总体目标图型有偶数个此类特征，则此种图型有时称为「偶周期」图型，而具有奇数个此类特征的总体目标图型则有时称为「奇周期」图型。偶周期能使用双图型化技术成形，而奇周期图型则无法使用双图型化技术成形。