[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410525045.0 | 申请日： | 2014-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN105575804B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;秦长亮;马小龙;王桂磊;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;胡湘根 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 下沉区 鳍式场效应晶体管 掺杂类型 衬底 短沟道效应 源漏延伸区 后栅工艺 控制器件 漏延伸区 外延生长 原位掺杂 掺杂层 掺杂区 横向结 控制源 结区 前栅 前置 源漏 去除 填充 陡峭 制造 隔离 延伸 应用 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底，所述衬底上形成有鳍，鳍之间形成有隔离；
在鳍上形成栅极；
去除栅极两端的部分厚度的鳍，以形成下沉区；
进行选择性外延生长及原位掺杂，以在下沉区表面上形成具有第一掺杂类型的第一掺杂层，以及填充下沉区的具有第二掺杂类型的源漏延伸区，所述第一掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反，所述第一掺杂层的掺杂浓度低于所述源漏延伸区的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述鳍形成在体硅衬底中，形成隔离的步骤包括：进行隔离材料的淀积；进行平坦化；去除部分厚度的隔离材料，以形成隔离。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在进行平坦化与去除部分厚度的隔离材料之间，还包括步骤：进行离子注入，以在鳍中形成穿通停止层。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括步骤：通过选择性外延在源漏延伸区上形成源漏区。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述源漏区上形成有接触刻蚀停止层。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述下沉区的底部高于隔离。
7.一种鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
衬底上的鳍；
鳍之间的隔离；
鳍上的栅极；
栅极两端的鳍具有下沉区，下沉区表面上形成有具有第一掺杂类型的第一掺杂层，以及填充下沉区的具有第二掺杂类型的源漏延伸区，所述第一掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反，所述第一掺杂层的掺杂浓度低于所述源漏延伸区的掺杂浓度。
8.根据权利要求7所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，还包括：形成于鳍中的穿通停止层。
9.根据权利要求7所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，还包括形成于源漏区上的接触刻蚀停止层。
10.根据权利要求7所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，所述下沉区的底部高于隔离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
