[发明专利]晶圆积层体的分断方法及分断装置在审
| 申请号： | 201410525155.7 | 申请日： | 2014-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN104658976A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 上村刚博 | 申请（专利权）人： | 三星钻石工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/301;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本大阪府*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆积层体 方法 装置 | ||
1.一种晶圆积层体的分断方法，该晶圆积层体是具有将玻璃晶圆与硅晶圆隔着树脂层贴合而成的构造，其特征在于，具有：
玻璃刻划步骤，借由刃前端，沿该玻璃晶圆外表面的分断预定线形成刻划线；及
硅沟槽形成步骤，借由沿该硅晶圆外表面的分断预定线照射激光，而在该硅晶圆外表面形成消蚀的沟槽；
在该玻璃刻划步骤及硅沟槽形成步骤之后，具有：
分断步骤，沿各个刻划线或沟槽分断该玻璃晶圆及硅晶圆。
2.如权利要求1所述晶圆积层体的分断方法，其特征在于，其中，
该晶圆积层体是影像感测器用晶圆积层体，该硅晶圆是纵横地图案化形成有多个光电二极管形成区域的硅晶圆，且该树脂层是以围绕该各光电二极管形成区域的方式配置。
3.如权利要求2所述晶圆积层体的分断方法，其特征在于，其中，
该影像感测器用晶圆积层体，是CMOS影像感测器用晶圆积层体，且在该晶圆积层体形成有直通硅晶穿孔。
4.如权利要求1所述晶圆积层体的分断方法，其特征在于，其中，
该刃前端，是沿圆周棱线具有刃前部的刻划轮、或钻石尖点。
5.如权利要求1至4中任一项所述晶圆积层体的分断方法，其特征在于，其中，该分断步骤，是从该玻璃晶圆的外表面侧沿该刻划线以按压构件按压、或从该硅晶圆的外表面侧沿该沟槽以按压构件按压，借此将该玻璃晶圆及硅晶圆沿各个刻划线或沟槽进行分断的步骤。
6.一种晶圆积层体的分断装置，该晶圆积层体是具有将玻璃晶圆与硅晶圆隔着树脂层贴合而成的构造，其特征在于，具备有：
刃前端，对该玻璃晶圆的外表面形成刻划线；
激光照射部，借由沿该硅晶圆外表面的分断预定线照射激光，而在该硅晶圆的外表面形成消蚀的沟槽；及
分断手段，对该玻璃晶圆及硅晶圆沿各个刻划线或沟槽进行分断。
7.如权利要求6所述晶圆积层体的分断装置，其特征在于，其中，
该刃前端，是沿圆周棱线具有刃前部的刻划轮或钻石尖点。
8.如权利要求6或7所述晶圆积层体的分断装置，其特征在于，其中，
该分断手段，是从该玻璃晶圆的外表面侧或硅晶圆的外表面侧沿该刻划线或沟槽进行按压的按压构件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
