[发明专利]晶片清洁系统、丝锯和用于清洁丝锯中的晶片的方法

权利要求书

1.一种用于丝锯(100)的晶片清洁系统(500)，所述丝锯(100)包括形成用于切割晶片的丝网的丝线(11)，所述晶片清洁系统(500)包含至少一个清洁喷嘴(540)，所述清洁喷嘴(540)被配置且布置用于从所述晶片的至少一个侧面提供清洁液(544)到相邻晶片之间的间隔中。

2.如权利要求1所述的晶片清洁系统(500)，其特征在于，所述至少一个清洁喷嘴(540)包括数个清洁喷嘴，所述数个清洁喷嘴被配置且布置用于从所述晶片的相对侧提供所述清洁液到相邻晶片之间的所述间隔中。

3.如权利要求1或2所述的晶片清洁系统(500)，其特征在于，所述至少一个清洁喷嘴(540)相对于所述丝网(111)可移动，特别是其中所述至少一个清洁喷嘴(540)被耦接到具体而言锭送料系统(300)的运动机构结构(350)。

4.如权利要求1至3中任一项所述的晶片清洁系统(500)，其特征在于，所述至少一个清洁喷嘴被以倾斜角阿尔法(α)朝向所述晶片的所述至少一个侧面导向，所述倾斜角α是从α＝10°至α＝90°，具体而言从α＝15°至α＝80°，更具体而言从α＝15°至α＝70°。

5.如权利要求4所述的晶片清洁系统(500)，其特征在于，所述至少一个清洁喷嘴(540)的所述倾斜角阿尔法(α)可调整。

6.如权利要求1至5中任一项所述的晶片清洁系统(500)，其特征在于，进一步包含用于收集所述清洁液的收集槽(570)，其中所述收集槽被布置在所述丝锯的第一丝线导向器和第二丝线导向器之间。

7.如权利要求6所述的晶片清洁系统(500)，其特征在于，所述收集槽包含用于提供所述清洁液到所述收集槽(570)中的冲洗件(573)，具体而言其中所述收集槽进一步包含用于从所述收集槽排放清洁液的出口(575)。

8.如权利要求6或7所述的晶片清洁系统(500)，其特征在于，所述收集槽包含低摩擦涂层、聚四氟乙烯涂层、结构化聚四氟乙烯涂层和抗附着涂层中的一者或多者。

9.如权利要求6至8中任一项所述的晶片清洁系统(500)，其特征在于，所述收集槽的底部(574)包含用于防止附着的结构。

10.一种包含如权利要求1至9中任一项所述的晶片清洁系统(500)的丝锯(100)。

11.一种用于清洁包括丝线的丝锯中的晶片的方法(700)，所述丝线形成用于切割晶片的丝网，其中所述方法包含：从所述晶片的至少一个侧面提供清洁液到相邻晶片之间的间隔中。

12.如权利要求11所述的用于清洁晶片的方法(700)，其特征在于，进一步包含：相对于所述丝网移动(702)所述晶片，具体而言从所述丝网抽出所述晶片，同时提供所述清洁液到相邻晶片之间的所述间隔中。

13.如权利要求12所述的用于清洁晶片的方法(700)，其特征在于，相对于所述丝网移动所述晶片包括相对于所述丝网的所述晶片的摇摆运动。

14.如权利要求11至13中任一项所述的用于清洁晶片的方法(700)，其特征在于，进一步包含：相对于所述晶片移动所述丝网，同时提供所述清洁液到相邻晶片之间的所述间隔中。

15.如权利要求1所述的晶片清洁系统(500)，其特征在于，所述至少一个清洁喷嘴(540)包括数个清洁喷嘴，所述数个清洁喷嘴被配置且布置用于从所述晶片的相对侧提供所述清洁液(544)到相邻晶片之间的所述间隔中，其中所述至少一个清洁喷嘴相对于所述丝网(111)可移动，其中所述至少一个清洁喷嘴被耦接到具体而言锭送料系统(300)的运动机构结构(350)，其中所述至少一个清洁喷嘴被以倾斜角阿尔法(α)朝向所述晶片的至少一个侧面导向，所述倾斜角α是从α＝10°至α＝90°，具体而言从α＝15°至α＝80°，更具体而言从α＝15°至α＝70°，其中所述晶片清洁系统进一步包含用于收集所述清洁液的收集槽(570)，且其中所述收集槽被布置在丝锯(100)的第一丝线导向器(112)和第二丝线导向器(114)之间。