[发明专利]通过自适应驱动器STAG的开关模式DCDC转换器效率提升有效

专利信息
申请号: 201410526206.8 申请日: 2014-10-09
公开(公告)号: CN104578770B 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: H·施梅勒;E·拜耳 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器德国股份有限公司
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵蓉民
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 通过 自适应 驱动器 stag 开关 模式 dcdc 转换器 效率 提升
【说明书】:

在一种开关模式感应DCDC转换器中,检测组件检测参数,该开关模式感应DCDC转换器具有经由电感器且经由第一开关传导第一电流路径的第一模式以及经由该电感器且经由第二开关传导第二电流路径的第二模式。检测组件输出延长其中一个开关的切断时间的偏置信号以便减少另一开关上的电压累积。

相关专利的交叉引用

本申请案主张2013年10月9日提交的美国临时申请案No.61/888,883的优先权,其全部公开内容通过引用合并与此。

技术领域

本发明总体上涉及一种开关模式感应电路。

背景技术

图1说明常规开关模式感应DCDC转换器100。

如图所示,开关模式感应DCDC转换器100包含输入节点102、电感器104、控制组件106、功率级108、电容器110和输出节点112。控制组件106包含驱动组件114、驱动组件116和控制器118。驱动组件114包含开关120和开关122。驱动组件116包含开关124和开关126。功率级108包含开关128和开关130。开关模式感应DCDC转换器100中还示出寄生电感132、134和136。

在示例开关模式感应DCDC转换器100中,开关120是p沟道场效应晶体管(p-FET),开关122是n沟道场效应晶体管(n-FET),开关124是p-FET,开关126是n-FET,开关128是p-FET,且开关130是n-FET。

电感器104被设置在输入节点102与功率级108之间。p-FET 128被设置在电感器104与输出节点112之间。n-FET 130被设置在电感器104与地之间。电感器104、n-FET 130和p-PET 128在节点158处连接。电容器110被设置在输出节点112与地之间。p-FET 120和n-FET 122被设置在输入节点102与地之间,其中p-FET 120的源极被连接到输入节点102,且其中n-FET 122的源极被连接到地。p-FET 120的漏极和n-FET 122的漏极经由线路138被连接到功率级108的n-FET 130的栅极。p-FET 120的栅极和n-FET 122的栅极经由线路140被连接到控制器118。p-FET 124和n-FET 126被设置在输入节点102与地之间,其中p-FET 124的源极被连接到输入节点102,且其中n-FET 126的源极被连接到地。p-FET 124的漏极和n-FET 126的漏极经由线路142被连接到功率级108的p-FET 128的栅极。p-FET 124的栅极和n-FET 126的栅极经由线路144被连接到控制器118。

输入节点102可操作以接收输入电压Vin。电感器104可操作以在第一状态中输出第一电压V1并在第二状态中输出第二电压V2

控制组件106可操作以控制功率级108。特别地,控制器118可操作以经由线路140上的控制信号146控制驱动组件114,且进一步可操作以经由线路144上的控制信号148控制驱动组件116。控制信号146交替地驱动p-FET 120和n-FET 122,其进而经由线路138提供偏置信号150以控制功率级108的n-FET 130。类似地,控制信号148交替地驱动p-FET 124和n-FET 126,其进而经由线路142提供偏置信号152以控制功率级108的p-FET 128。

功率级108以第一模式操作,其中由箭头154表明的电流路径行进穿过电感器104、穿过n-FET 130且到达地。功率级108以第二模式操作,其中由箭头156指示的电流路径行进穿过电感器104、穿过p-FET 128且到达输出节点112。

电容器110充当低通滤波器。

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