[发明专利]具有填埋式彩色滤光片的图像传感器及其制备方法在审
申请号: | 201410526222.7 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104362162A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 胡思平;朱继锋;肖胜安;董金文 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 填埋式 彩色 滤光 图像传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有填埋式彩色滤光片的图像传感器,其特征在于,包括:
一键合晶圆,所述键合晶圆包括第一晶圆和键合第一晶圆之上的第二晶圆;
所述第二晶圆顶部具有一沟槽,所述沟槽中设置有一顶部具有开口的引线;
所述第二晶圆与所述引线除开口外的上方覆盖一层第二介电层,所述第二介电层填充所述沟槽;
除沟槽上方的所述第二介电层的上表面设置有若干等距间隔的金属隔离栅;
相邻所述金属隔离栅之间设置有彩色滤光片,且所述彩色滤光片的顶部与所述金属隔离栅的顶部齐平。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第一晶圆包括第一衬底和第一BEOL介质层,所述第二晶圆包括第二衬底和第二BEOL介质层;
所述第一BEOL介质层覆盖所述第一衬底的上表面,所述第二BEOL介质层覆盖所述第一BEOL介质层的上表面,所述第二衬底覆盖所述第二BEOL介质层的上表面;
其中,所述第二晶圆的第二衬底中设置有所述沟槽,所述沟槽暴露部分所述第二BEOL介质层的上表面。
3.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第二晶圆的上表面还覆盖有第一介电层,所述第一介电层位于所述第二晶圆与所述第二介电层之间。
4.如权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述第一BEOL介质层与所述第二BEOL介质层中均设有第一金属层,且两第一金属层正对接触;
其中,所述第二BEOL介质层中还设有一第二金属层,所述第二金属层与所述引线连接。
5.一种填埋式彩色滤光片的图像传感器的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
步骤S1、提供一键合晶圆,所述键合晶圆包括第一晶圆和键合第一晶圆之上的第二晶圆,所述第二晶圆顶部具有一沟槽,所述沟槽中具有一引线,所述引线顶部具有一开口;
步骤S2、沉积一层第二介电层将所述第二晶圆和所述引线予以覆盖,并填充所述沟槽;
步骤S3、对所述第二介电层进行平坦化处理,之后在除沟槽上方外的第二介电层的上表面制备若干等距间隔的金属隔离栅;
步骤S4、于相邻的金属隔离栅之间填埋彩色滤光片,且所述彩色滤光片的顶部与所述金属隔离栅的顶部齐平,去除部分所述第二介电层,以暴露所述引线顶部的开口。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述第一晶圆包括第一衬底和第一BEOL介质层,所述第二晶圆包括第二衬底和第二BEOL介质层;
所述第一BEOL介质层覆盖所述第一衬底的上表面,所述第二BEOL介质层覆盖所述第一BEOL介质层的上表面,所述第二衬底覆盖所述第二BEOL介质层的上表面;
其中,所述第二晶圆的第二衬底中设置有所述沟槽,并通过所述沟槽暴露部分所述第二BEOL介质层的上表面。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第一BEOL介质层与所述第二BEOL介质层中均设有第一金属层,且两第一金属层正对接触;
其中,所述第二BEOL介质层中还设有一第二金属层,所述第二金属层与所述引线连接。
8.如权利要求5所述的方法,其特征在于,步骤S2中,所述第二晶圆和所述第二介电层间还沉积有一层第一介电层;
所述第一介电层覆盖所述第二晶圆的上表面、沟槽底部及其侧壁。
9.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述第二介电层的材质为氧化硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的