[发明专利]一种图像传感器制备工艺

权利要求书

1.一种图像传感器制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供一半导体结构，所述半导体结构的顶部设置有沟槽，所述沟槽中形成有引线，所述半导体结构顶部和所述沟槽暴露的表面覆盖有第一介电层；

步骤S2：沉积第二介电层覆盖在所述第一介电层和所述引线的上表面并将所述沟槽进行填充；

步骤S3：进行一反刻蚀的工艺，以降低所述第二介电层的厚度，并在沟槽上方的第二介电层表面形成凸状结构；

步骤S4：对所述第二介电层进行平坦化处理，藉由所述凸状结构来提高所述第二介电层的研磨后的表面平整度。

2.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述半导体结构包括一第一晶圆和键合在第一晶圆之上的第二晶圆；

所述第一晶圆和所述第二晶圆均包括一衬底和一氧化层，且所述第一晶圆和所述第二晶圆各自包括的氧化层之间接触面为键合面。

3.如权利要求2所述的制备工艺，其特征在于，所述第一晶圆和所述第二晶圆各自包括的氧化层中均设置有至少一个第一金属层，且所述第一晶圆和所述第二晶圆中的第一金属层均一对一地上下重叠并接触。

4.如权利要求2所述的制备工艺，其特征在于，所述第二晶圆的衬底内一预设深度内还设置有第二金属层，且该第二金属层与所述引线接触。

5.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述引线为T型金属，且该引线顶部开设有一凹槽。

6.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述第二介电层为氧化硅。

7.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，反刻蚀的工艺包括光刻和干法刻蚀工艺。

8.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述凸状结构位于所述沟槽顶部和/或沟槽附近。

9.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述平坦化处理为化学机械研磨。