[发明专利]一种低温烧结温度稳定型陶瓷电容器介质材料无效

专利信息
申请号: 201410527489.8 申请日: 2014-10-09
公开(公告)号: CN104311012A 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 李玲霞;金雨馨;董和磊;于仕辉;许丹 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 张宏祥
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 低温 烧结 温度 稳定 陶瓷 电容器 介质 材料
【说明书】:

技术领域

发明属于一种以成分为特征的陶瓷组合物,特别涉及一种低温烧结温度稳定型陶瓷电容器介质材料及制备方法。

背景技术

近年来,随着电子线路日益微型化、集成化和高频化,电子元件必须尺寸小,具有高频、高可靠、价格低廉和高集成度等特性。铋基焦绿石介质材料作为一类新兴的低温烧结陶瓷材料,其介电常数高,介质损耗小,烧结温度低,介电常数温度系数可调且不含Pb,被广泛应用于高频器件中。

其中,研究最多的是Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)系介质材料。该体系具有烧结温度低(<1000℃)、介电常数温度系数可调、介电常数高(80~210)、介电损耗小等优点,并且不与Ag内电极浆料起反应,可采用低钯含量的银钯浆料作为内电极,可应用于低温共烧陶瓷(LTCC)的制备,并大大降低多层器件的成本。

随组分变化,BZN体系陶瓷存在两个具有不同介电性能的主要结构:Bi1.5ZnNb1.5O7(α-BZN)立方焦绿石(εr≈150,tanδ≤4×10-4,TCC≈-400×10-6/℃)和Bi2Zn2/3Nb4/3O7(β-BZN)单斜钛锆钍结构(εr≈80,tanδ≤2×10-4,TCC≈170×10-6/℃)。两相具有符号相反的电容量温度系数。然而,为满足实际应用,调解体系的温度系数,进一步提高体系的介电常数,成为研究者努力的方向。

发明内容

本发明的目的,是为克服现有技术制备的陶瓷电容器介质材料温度稳定性差的缺点,提供一种低温烧结温度稳定型陶瓷电容器介质材料及制备方法。

本发明通过如下技术方案予以实现。

一种低温烧结温度稳定型陶瓷电容器介质材料,其化学式为[Bi1.5(CaxZn1-x)0.5](Zn0.5Nb1.5)O7,x=0.7~0.75;

该低温烧结温度稳定型陶瓷电容器介质材料的制备方法,具有如下步骤:

(1)将原料Bi2O3、Nb2O5、CaCO3、ZnO按[Bi1.5(CaxZn1-x)0.5](Zn0.5Nb1.5)O7,其中x=0.7~0.75的化学式称量配料;

(2)将步骤(1)配制的原料放入球磨罐中,加入氧化锆球和去离子水,球磨4小时;将球磨后的原料置于红外干燥箱中烘干,烘干后过40目筛,获得颗粒均匀的粉料;

(3)将步骤(2)处理后的粉料于750℃下煅烧4小时,合成主晶相;

(4)在步骤(3)合成主晶相的粉料中外加质量百分比为0.75%的聚乙烯醇,放入球磨罐中,加入氧化锆球和去离子水,球磨12小时,烘干后过80目筛,再用粉末压片机以4MPa的压力压成坯体;

(5)将步骤(4)成型后的坯体于925~950℃烧结,保温4小时,制成低温烧结温度稳定型陶瓷电容器介质材料;

(6)测试制品的高频介电性能。

2.根据权利要求1所述的一种低温烧结温度稳定型陶瓷电容器介质材料,其特征在于,所述步骤(2)和步骤(4)的烘干温度为100℃。

所述步骤(2)和步骤(4)的原料粉体与氧化锆球、去离子水的质量比为1∶1∶2。

所述步骤(4)的坯体为Φ10mm×1mm的圆片。

所述步骤(5)的烧结温度为925℃。

本发明的有益效果:

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