[发明专利]MEMS和CMOS集成芯片及传感器在审
| 申请号： | 201410527558.5 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105565250A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 付世;郭梅寒 | 申请（专利权）人： | 深迪半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;G01D5/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems cmos 集成 芯片 传感器 | ||
1.一种MEMS和CMOS集成芯片，其特征在于，包括：第一衬底、第 二衬底、至少一个连接端子，以及，位于所述第一衬底和第二衬底之间的机 械结构层；其中，
在所述第一衬底朝向所述机械结构层一侧形成有第一CMOS结构，在所 述第二衬底朝向所述机械结构层一侧形成有第二CMOS结构，所述机械结构 层形成有第一MEMS结构，且所述第一CMOS结构、第二CMOS结构和 MEMS结构之间电性连接；
在所述第一衬底中形成有至少一个第一过孔，所述第一过孔的一端与所 述第一CMOS结构电性连接，且所述第一过孔的另一端与相应的所述连接端 子电性连接，和/或，在所述第二衬底中形成有至少一个第二过孔，所述第二 过孔的一端与所述第二CMOS结构电性连接，且所述第二过孔的另一端与相 应的所述连接端子电性连接。
2.根据权利要求1所述的MEMS和CMOS集成芯片，其特征在于，所 述第一CMOS结构和第二CMOS结构均与所述MEMS结构之间通过键合方 式电性连接。
3.根据权利要求2所述的MEMS和CMOS集成芯片，其特征在于，所 述键合方式为共晶键合或熔融键合。
4.根据权利要求1所述的MEMS和CMOS集成芯片，其特征在于，位 于所述第一衬底朝向所述机械结构层的一侧形成有第一凹槽；
其中，所述第一MEMS结构位于所述第一凹槽和第二衬底之间围成的密 封腔内。
5.根据权利要求4所述的MEMS和CMOS集成芯片，其特征在于，所 述第一CMOS结构形成于所述第一衬底朝向所述机械结构层一侧、且环绕所 述第一凹槽的表面。
6.根据权利要求4所述的MEMS和CMOS集成芯片，其特征在于，位 于所述第二衬底朝向所述机械结构层一侧还包括第二凹槽；
其中，所述第一MEMS结构位于所述第一凹槽和第二凹槽之间围成的密 封腔内。
7.根据权利要求6所述的MEMS和CMOS集成芯片，其特征在于，所 述第二CMOS结构形成于所述第二衬底朝向所述机械结构层一侧、且环绕所 述第二凹槽的表面。
8.根据权利要求1～7任意一项所述的MEMS和CMOS集成芯片，其特 征在于，所述机械结构层还包括第二MEMS结构至第nMEMS结构，且所述 第二MEMS结构至第nMEMS结构、第一CMOS结构和第二CMOS结构之 间电性连接，其中，n至少为2。
9.一种传感器，其特征在于，所述传感器包括权利要求1～8任意一项所 述的MEMS和CMOS集成芯片。
10.根据权利要求9所述的传感器，其特征在于，所述传感器为磁传感 器、压力传感器、加速度传感器、陀螺仪传感器中的一种或多种的集合。
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