[发明专利]保持MnNiGe基材料的强磁共结构相变的方法及应用

权利要求书

1.保持MnNiGe基材料的强磁共结构相变的方法，所述方法包括去除 粒径小于100μm的颗粒，所述MnNiGe基材料为Mn_1-xFe_xNiGe或 MnNi_1-yFe_yGe，其中，0.08<x≤0.26，0.10≤y≤0.27。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述MnNiGe基材料具有磁共 结构相变特征，相变性质为一级。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述材料高温相具有Ni₂In 型六角结构，低温相具有TiNiSi型正交结构。

4.权利要求1至3中任一项所述的MnNiGe基材料的制备方法，该方 法包括如下步骤：

1)按化学式配制原料；

2)将步骤1)中配制好的原料放入电弧炉中，抽真空，用氩气清洗， 并在氩气保护下熔炼，获得合金锭；

3)将步骤2)熔炼好的合金锭在真空状态下800～900℃退火，然后自 然冷却，从而制备出Mn_1-xFe_xNiGe和MnNi_1-yFe_yGe磁共结构相变材料；

4)将步骤3)制得的磁共结构相变材料进行破碎、研磨和筛分，得到 粒径范围1～200μm的无规则颗粒，然后筛除掉粒径小于100μm的颗粒。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，步骤3)的退火温度为 870～880℃，退火时间为1～7天，真空度不小于10^-4Pa，退火后炉冷或者冰 水淬火。

6.权利要求1至3中任一项所述的方法在制备磁制冷材料、磁驱动材 料和磁换能材料中的应用。