[发明专利]石斛的高产种植方法

权利要求书

1.一种石斛的高产种植方法，其特征在于，步骤包括：

一.离体育苗：

配置不定芽诱导培养基，并对不定芽诱导培养基进行消毒杀菌；

选择石斛的无病虫害的叶片和嫩茎作为外植体，用消毒过的刀具将外植体剪下来，所述外植体的长度为0.5cm-1cm；

将外植体放入不定芽诱导培养基中进行培养；

15-20天后，配置增殖培养基，并对增殖培养基进行消毒杀菌；

选择长出新芽的外植体，将带有新芽的外植体放入到增殖培养基中，培养10-15天；

配置生根培养基，并对生根培养基进行消毒杀菌；

选择长出丛芽的外植体，并将其放入到生根培养基中进行培养；

二.移植培育：

选择湿润、弱光、通风、砂质土壤的种植田，并结合深耕施基肥；

在种植田中作宽30-40cm，长100-120cm，高15-17cm的畦；

在种植田上搭1.5-2.0m的荫棚，荫棚中的温度为15-30℃，湿度为60%—90%；

在种植田中均匀的播撒树皮、木屑和苔藓；

20-30天后，选择具有发达根系的外植体作为再生植株，并在再生植株的根部包裹一层苔藓；

按照10-20cm的株行距，将再生植株移栽到种植田内，用细砂或小砾石填埋至7-10cm ，压紧后浇定根水；

栽种后第二年开始，在3-4月和10-11月里，进行一次除草并追施腐熟农家肥的上清液；

每年在5-10月间，每隔1-2个月，用质量比为2％的过磷酸钙或1％的硫酸钾进行根外施肥；

每年春季发芽前或采收石斛时，应剪去部分老枝和枯枝，以及生长过密的茎枝，使得荫蔽度为55％-65%；

三.采收：

栽培2-3年后，在10-4月间进行采收时，用剪刀或镰刀从茎基部将老植株剪下来，保留嫩株。

2.根据权利要求1所述的石斛的高产种植方法，其特征在于，在离体培养时，培养温度25℃～28℃，每天光照9-10 小时，光照强度为1800～1900lx。

3.根据权利要求1所述的石斛的高产种植方法，其特征在于，所述基肥的成分及成分及其组分包括：50-80份的油饼、80-100份的豆渣、40-60份的牛粪、40-60份的猪粪、60-80份的肥泥、20-30份的附着肥料、10-20份的磷肥和5-10份的氮肥。

4.根据权利要求1所述的石斛的高产种植方法，其特征在于，所述不定芽诱导培养基的成分包括：MS培养基、糖35g/L、琼脂3.7g/L和椰子汁100ml/L。

5.根据权利要求1所述的石斛的高产种植方法，其特征在于，所述增殖培养基的成分包括：MS培养基、NAA 0.1g/L、6-BA 0.2g/L、脯氨酸0.3g/L、糖35g/L、香蕉100g/L和琼脂3.7g/L。

6.根据权利要求1所述的石斛的高产种植方法，其特征在于，所述生根培养基的成分包括：1/2MS培养基、NAA 0.2g/L、6-BA 0.1g/L、脯氨酸0.3g/L、糖35g/L、琼脂3.7g/L和香蕉100g/L。

7.根据权利要求4或5或6所述的石斛的高产种植方法，其特征在于，所述不定芽诱导培养基、所述增殖培养基和所述生根培养基的PH值为5.6—5.8。

8.根据权利要求3所述的石斛的高产种植方法，其特征在于，附着肥料包括油脚、猪毛、豆渣或人发中的一种或多种。