[发明专利]一种去除单壁碳纳米管中碳杂质的方法

权利要求书

1.一种去除单壁碳纳米管中碳杂质的方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1：将含碳杂质的单壁碳纳米管产品用机械研磨的方法研磨1-24h；

步骤2：将机械研磨后的单壁碳纳米管产品置于反应器中，通过含氢气的气体，在高温或中温等离子体的环境中进行处理；

步骤3：将处理后的单壁碳纳米管产品再利用气流分级筛选的方法处理，然后降至室温；

步骤4：重复上述步骤1-3一至三次；

步骤2所述的含氢气的气体指氢气与氦气或氩气的混合气体，其中氢气的体积分数为50-100％；高温处理时的温度为700-850℃,绝对压力为0.1-0.3Mpa，处理时间为1-72h，氢气的重量空速为0.1-10g/g碳杂质/h；中温等离子体氢气处理时的温度为300-550℃,绝对压力为0.1-0.3Mpa，处理时间为1-72h，氢气的重量空速为0.1-10g/g碳杂质/h；

步骤3所述的利用气流分级筛选的方法处理，具体为：使反应器中通入氢气、氦气或氩气中的一种或多种气体，控制气速为0.01-0.1m/s，处理时间为0.1-0.5h，将碳杂质与单壁碳纳米管分离。

2.根据权利要求1所述的一种去除单壁碳纳米管中碳杂质的方法，其特征在于：所述含碳杂质的单壁碳纳米管产品为单壁碳纳米管的质量分数为50-99.7％，碳杂质为多壁碳纳米管、洋葱碳纳米颗粒、无定形碳中的一种或多种，其总质量分数为0.3-50％。

3.根据权利要求2所述的一种去除单壁碳纳米管中碳杂质的方法，其特征在于：所述多壁碳纳米管的碳层数大于5。

4.根据权利要求1所述的一种去除单壁碳纳米管中碳杂质的方法，其特征在于：步骤1所述机械研磨的方法是指使用刚玉、碳化硼或氧化锆球形研磨颗粒，球形研磨颗粒与含碳杂质的单壁碳纳米管产品的体积比为10:1-1:10。

5.根据权利要求1所述的一种去除单壁碳纳米管中碳杂质的方法，其特征在于：所述反应器的型式为固定床、流化床或旋转炉。