[发明专利]显示面板及薄膜晶体管阵列基板在审

专利信息
申请号: 201410528406.7 申请日: 2014-10-09
公开(公告)号: CN104298036A 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 叶岩溪 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示 面板 薄膜晶体管 阵列
【说明书】:

【技术领域】

发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板及薄膜晶体管阵列基板。

【背景技术】

传统的TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)显示面板上设置有多个像素单元(包括绿色子像素101、蓝色子像素102和红色子像素103),所述像素单元上并列设置有多个条状电极,所述条状电极用于向液晶分子施加第一电场来驱动液晶分子实现灰阶转换。

在实践中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:

并列设置的条状电极的连接处一般会产生第二电场,所述第二电场所对应的方向与所述第一电场所对应的方向不同。因此,所述连接处附近的液晶分子不受控制,从而导致所述连接处所对应的显示区域104出现暗区现象(Declination),如图1所示。电压越大,所述暗区现象越明显,这会导致显示面板的穿透率降低,影响显示质量。

故,有必要提出一种新的技术方案,以解决上述技术问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种显示面板及薄膜晶体管阵列基板,其能降低暗区现象的出现概率,提高显示质量。

为解决上述问题,本发明的技术方案如下:

一种显示面板,所述显示面板包括:一彩色滤光片基板;一液晶层;以及一薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板上设置有至少两个像素单元,至少两所述像素单元以阵列的形式排列,所述像素单元包括像素电极,其中,所述像素电极包括:至少两条状电极,所述条状电极包括第一末端和第二末端;以及至少一连接电极,所述连接电极的边缘处包括至少两个接触区,所述接触区与所述条状电极的第一末端连接;其中,所述边缘处位于相邻两个所述接触区之间的部位设置有凹陷阵列或突起阵列。

在上述显示面板中,所述凹陷阵列包括至少两个凹陷部,至少两个所述凹陷部以阵列的形式排列。

在上述显示面板中,所述凹陷部的表面设置有第一子突起部或第一子凹陷部。

在上述显示面板中,所述突起阵列包括至少两个突起部,至少两个所述突起部以阵列的形式排列。

在上述显示面板中,所述突起部的表面设置有第二子突起部或第二子凹陷部。

一种薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板上设置有至少两个像素单元,至少两所述像素单元以阵列的形式排列,所述像素单元包括像素电极,其中,所述像素电极包括:至少两条状电极,所述条状电极包括第一末端和第二末端;以及至少一连接电极,所述连接电极的边缘处包括至少两个接触区,所述接触区与所述条状电极的第一末端连接;其中,所述边缘处位于相邻两个所述接触区之间的部位设置有凹陷阵列或突起阵列。

在上述薄膜晶体管阵列基板中,所述凹陷阵列包括至少两个凹陷部,至少两个所述凹陷部以阵列的形式排列。

在上述薄膜晶体管阵列基板中,所述凹陷部的表面设置有第一子突起部或第一子凹陷部。

在上述薄膜晶体管阵列基板中,所述突起阵列包括至少两个突起部,至少两个所述突起部以阵列的形式排列。

在上述薄膜晶体管阵列基板中,所述突起部的表面设置有第二子突起部或第二子凹陷部。

相对现有技术,本发明在暗区现象方面相比传统技术方案具有较大的改善。此外,本发明的显示面板的穿透率相对传统技术的穿透率具有较显著的提升。

为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。

【附图说明】

图1为传统的显示面板中像素单元的示意图;

图2为本发明的显示面板的像素单元的第一实施例的示意图;

图3为本发明的显示面板的像素单元的第二实施例的示意图;

图4为本发明的显示面板的像素单元的第三实施例的示意图;

图5a和图5b分别为传统技术和本发明在暗区现象方面的差异的示意图。

【具体实施方式】

本说明书所使用的词语“实施例”意指用作实例、示例或例证。此外,本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为意指“一个或多个”,除非另外指定或从上下文清楚导向单数形式。

参考图2、图3和图4,图2为本发明的显示面板的像素单元的第一实施例的示意图,图3为本发明的显示面板的像素单元的第二实施例的示意图,图4为本发明的显示面板的像素单元的第三实施例的示意图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410528406.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top