[发明专利]光罩底部接触面的颗粒侦测方法及辅助工具

权利要求书

1.一种光罩底部接触面的颗粒侦测方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

S1：提供一校正光罩，所述校正光罩上设置有一对标记，该一对标记的中心坐标分别为(-M，0)与(M，0)，所述标记为中心对称图形；

S2：将所述校正光罩放置于曝光机的光罩承载台上，将曝光光源的光束依次照射在左右两个标记上，测量得到所述校正光罩绕Y轴的等效倾斜角度K1；

S3：将所述校正光罩旋转180°放置于曝光机的光罩承载台上，将曝光光源的光束依次照射在左右两个标记上，测量得到所述校正光罩绕Y轴的等效倾斜角度K2；

S4：根据公式K1＝A+B与K2＝B-A，其中A为所述校正光罩绕Y轴的倾斜角度，B为曝光机绕Y轴的倾斜角度，从而获得所述曝光机绕Y轴的倾斜角度B＝(K1+K2)/2；

S5：提供待测光罩，利用所述曝光机测量所述待测光罩绕Y轴的等效倾斜角度E，获得该待测光罩绕Y轴的倾斜角度F＝E-B；

S6：根据所述待测光罩绕Y轴的倾斜角度F的大小，判断所述待测光罩底部接触面的污染程度以采取相应措施。

2.根据权利要求1所述的光罩底部接触面的颗粒侦测方法，其特征在于：于所述步骤S2及步骤S3中，利用移动挡板使所述曝光光源的光依次照射在一对标记上。

3.根据权利要求1所述的光罩底部接触面的颗粒侦测方法，其特征在于：于所述步骤S2及步骤S3中，通过光探测器探测透过所述标记的光照强度，并将透过一对标记的光照强度进行对比得到所述校正光罩绕Y轴的等效倾斜角度。

4.根据权利要求3所述的光罩底部接触面的颗粒侦测方法，其特征在于：透过所述标记的光通过一透镜聚焦之后被所述光探测器探测。

5.根据权利要求1所述的光罩底部接触面的颗粒侦测方法，其特征在于：于所述步骤S5中，提供一组待测光罩，在同一片晶圆上依次测量每一片待测光罩绕Y轴的等效倾斜角度，并获得每一片待测光罩绕Y轴的倾斜角度。

6.根据权利要求1所述的光罩底部接触面的颗粒侦测方法，其特征在于：所述标记为间隔透光图形。

7.根据权利要求1所述的光罩底部接触面的颗粒侦测方法，其特征在于：所述标记的整体轮廓为正方形、圆形、正六边形或正八边形。