[发明专利]一种原位反应生成TiC弥散强化Cu合金的方法

权利要求书

1.一种原位反应生成TiC弥散强化Cu合金的方法，其特征在于，包括如下步骤：

第1步、取铜粉、钛粉和碳粉，用球磨机进行球磨，再压制成预制块；

第2步、将铜和第1步所得的预制块放入真空感应熔炼炉中，抽真空，加热熔化铜；再将预制块投入到铜熔体中，保温，再降温后浇铸，冷却，即得TiC弥散强化Cu合金。

2.根据权利要求1所述的原位反应生成TiC弥散强化Cu合金的方法，其特征在于：所述的第1步中，铜粉的重量：钛粉与碳粉的重量之和为1.1～1.3：1；其中钛粉：碳粉摩尔比为1.8～2.2：1。

3.根据权利要求1所述的原位反应生成TiC弥散强化Cu合金的方法，其特征在于：所述的第1步中，铜粉颗粒尺寸＜45μm，纯度＞99.9%；钛粉颗粒尺寸为45～75μm，纯度＞99.9%；碳粉颗粒尺寸＜45μm，纯度＞99.9% 。

4.根据权利要求1所述的原位反应生成TiC弥散强化Cu合金的方法，其特征在于：所述的第1步中，压制的压力为25～35MPa。

5.根据权利要求1所述的原位反应生成TiC弥散强化Cu合金的方法，其特征在于：所述的第2步中，加热熔化铜中，待温度达到1350～1450℃时把预制块投入到熔体当之中。

6.根据权利要求1所述的原位反应生成TiC弥散强化Cu合金的方法，其特征在于：所述的第2步中，保温时间15～20min。

7.根据权利要求1所述的原位反应生成TiC弥散强化Cu合金的方法，其特征在于：所述的第2步中，浇铸温度为1250～1300℃。

8.根据权利要求1所述的原位反应生成TiC弥散强化Cu合金的方法，其特征在于：所述的TiC弥散强化Cu合金的中TiC的平均粒径0.5～1μm、含量1～2wt%。