[发明专利]一种薄膜衰减片的制作方法

权利要求书

1.一种薄膜衰减片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(101)，采用真空溅射的方法实现介质基材表面金属化；

步骤(102)，采用光刻工艺形成衰减片图形；

步骤(103)，电镀高纯软金，加厚导体电路；

步骤(104)，通过加热的办法对整片衰减片电路进行热氧化调阻；

步骤(105)，使用光刻胶在衰减片的抗击打部位定义出电镀图形区域；

步骤(106)，在定义图形区域电镀金钴合金；

步骤(107)，使用砂轮划切的方法分割成独立的衰减片图形。

2.如权利要求1所述的一种薄膜衰减片的制作方法，其特征在于，所述衰减片制作时选用的基材是纯度99.6％以上的氧化铝陶瓷基片或蓝宝石基片，基片的厚度范围为：0.1mm～1mm。

3.如权利要求1所述的一种薄膜衰减片的制作方法，其特征在于，步骤(101)中，介质基材上形成的金属化膜层结构为TaN-TiW-Au，其中钛：钨质量比为1：9。

4.如权利要求1所述的一种薄膜衰减片的制作方法，其特征在于，步骤(102)中，光刻工艺的具体步骤包括：在基片上涂胶——前烘——曝光——显影——后烘——刻蚀——去胶。

5.如权利要求1所述的一种薄膜衰减片的制作方法，其特征在于，步骤(103)中，电镀加厚软金层厚度为1～10μm。

6.如权利要求5所述的一种薄膜衰减片的制作方法，其特征在于，所述电镀步骤使用氰化亚金钾直流电镀金，主盐为氰化亚金钾。

7.如权利要求1所述的一种薄膜衰减片的制作方法，其特征在于，步骤(104)中，加热时使用的设备是电炉或电加热板，工作温度范围为400～700℃。

8.如权利要求1所述的一种薄膜衰减片的制作方法，其特征在于，步骤(105)中，用光刻胶定义图形的具体步骤包括：在基片上涂胶——前烘——曝光——显影——后烘。

9.如权利要求1所述的一种薄膜衰减片的制作方法，其特征在于，步骤(106)中，电镀加厚金钴合金厚度为1～10μm。

10.如权利要求9所述的一种薄膜衰减片的制作方法，其特征在于，所述电镀步骤使用氰化亚金钾直流电镀金，主盐为氰化亚金钾。