[发明专利]形成连接至多个穿透硅通孔(TSV)的图案化金属焊盘的机制

权利要求书

1.一种插入件结构，包括：

两个或多个穿透硅通孔(TSV)；

图案化金属焊盘，其中，所述两个或多个穿透硅通孔物理连接至所述图案化金属焊盘，其中，所述图案化金属焊盘具有位于所述图案化金属焊盘中的嵌入式介电结构，其中，所述嵌入式介电结构不在所述两个或多个穿透硅通孔的上方；以及

导电结构，物理连接至所述两个或多个穿透硅通孔的与所述图案化金属焊盘相对的端；

其中，所述图案化金属焊盘的所述嵌入式介电结构具有位于所述图案化金属焊盘的中心的第一介电结构，其中，所述第一介电结构的宽度与所述图案化金属焊盘的宽度的比率在1/4和1/2的范围内。

2.根据权利要求1所述的插入件结构，其中，所述图案化金属焊盘包括多个没有所述嵌入式介电结构的区域，其中，所述多个没有所述嵌入式介电结构的区域位于各个所述穿透硅通孔上方。

3.根据权利要求2所述的插入件结构，其中，所述多个没有所述嵌入式介电结构的区域位于所述图案化金属焊盘的各个角处。

4.根据权利要求2所述的插入件结构，其中，所述图案化金属焊盘被成形为正方形，且所述多个没有所述嵌入式介电结构的区域包括位于所述图案化金属焊盘的各个角处的四个区域。

5.根据权利要求2所述的插入件结构，其中，所述嵌入式介电结构包括位于所述多个没有所述嵌入式介电结构的区域的两个相邻区域之间的第二介电结构。

6.根据权利要求2所述的插入件结构，其中，所述嵌入式介电结构包括位于所述多个没有所述嵌入式介电结构的区域的两个相邻区域之间的多于1个的介电结构。

7.根据权利要求1所述的插入件结构，其中，所述图案化金属焊盘的宽度对所述导电结构的宽度的比率在1/3和1/2的范围内。

8.根据权利要求1所述的插入件结构，其中，所述导电结构式凸块下金属(UBM)结构。

9.一种封装件结构，包括：

半导体管芯；

插入件结构，连接至所述半导体管芯，所述插入件结构还包括：

两个或多个穿透硅通孔(TSV)；

图案化金属焊盘，其中，所述两个或多个穿透硅通孔物理连接至所述图案化金属焊盘，其中，所述图案化金属焊盘具有位于所述图案化金属焊盘中的嵌入式介电结构，其中，所述嵌入式介电结构没有超过所述两个或多个穿透硅通孔，以及

导电结构，物理连接至所述两个或多个穿透硅通孔的与所述图案化金属焊盘相对的端；以及

衬底，连接至所述插入件；

其中，所述图案化金属焊盘的所述嵌入式介电结构包括位于所述图案化金属焊盘的中心的第一介电结构，其中，所述第一介电结构的宽度与所述图案化金属焊盘的宽度的比率在1/4和1/2的范围内。

10.根据权利要求9所述的封装件结构，其中，所述图案化金属焊盘包括多个没有所述嵌入式介电结构的区域，其中，所述多个没有所述嵌入式介电结构的区域位于各个所述穿透硅通孔上方。

11.根据权利要求10所述的封装件结构，其中，所述多个没有所述嵌入式介电结构的区域位于所述图案化金属焊盘的各个角处。

12.根据权利要求10所述的封装件结构，其中，所述图案化金属焊盘的所述嵌入式介电结构还包括位于所述多个没有所述嵌入式介电结构的区域的两个相邻区域之间的多于1个的介电结构。