[发明专利]一种液晶介质及应用无效
申请号: | 201410530772.6 | 申请日: | 2014-10-10 |
公开(公告)号: | CN104263383A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 高红茹;温刚;丰景义;翟媛媛;孙轩非;贾鹏忠 | 申请(专利权)人: | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 |
主分类号: | C09K19/44 | 分类号: | C09K19/44;C09K19/46;C09K19/30;C09K19/34;C09K19/12;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京市兰台律师事务所 11354 | 代理人: | 张峰 |
地址: | 050091 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶 介质 应用 | ||
技术领域
本发明涉及液晶材料领域,具体的说涉及一种液晶介质,该液晶介质为负介电各向异性的液晶介质,本发明还涉及该液晶介质在有源矩阵显示元件,如使用ECB、FFS或IPS、MVA、PVA或HVA效应的有源矩阵显示器中的应用。
背景技术
目前TFT-LCD已经广泛地应用于工业领域和家庭消费领域,几乎完全替代了传统的CRT显示器市场。根据液晶显示方式的不同,液晶显示元件可以分为扭曲向列相(TN)模式、超扭曲向列相(STN)模式、共面(IPS)模式、垂直配向(VA)模式等多种模式。
当前的液晶显示元件多为扭曲向列相(TN)模式,但其存在对比度低、视野角窄的缺点,而垂直配向(VA)模式的显示以其宽视野角、高对比度和无须摩擦配向等优势,已经得到广泛应用,并成为大尺寸TV用TFT-LCD的常见显示模式,另外,VA模式显示的对比度对液晶的双折射率、液晶层的厚度和入射光的波长依赖度较小,因此,VA模式成为了现在极具前景的液晶显示技术。
对于VA模式等的显示方式所用的液晶材料,要求低电压驱动、快速响应、宽的温度范围和良好的低温稳定性。换言之,也就要求我们开发负介电各向异性绝对值大、低黏度、大的K33值和高清亮点的化合物。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供一种负介电各向异性液晶介质,该液晶介质的光学各向异性在0.080~0.150范围内,并且具有低的旋转粘度、较快的响应时间和适当的负介电各向异性。
为解决上述技术问题,本发明所采取的技术方案是:
本发明提供了一种液晶介质,其特征在于,所述液晶介质包含一种或多种通式Ⅰ1或/和通式Ⅰ2所示的介电中性化合物
和一种或多种通式Ⅱ所示的介电负性化合物
其中,
H表示为环戊基或环丁基;
R1-R5各自独立地表示下列①~③所示基团中的任意一种:
①、碳原子数为1~7的直链烷基,
②、①所示基团中一个或多个-CH2-被-O-、-CH=CH-CH3或-CH=CH-取代所形成的基团,
③、①或②所示基团中一个或多个-H被-F、-Cl、-CH=CH2或-CH=CH-CH3取代所形成的基团;
Z1、Z2各自独立地表示单键、-CH2-、-CH2CH2-、-CH2O-或-OCH2-中任意一种;
(O)表示-H或-O-(括号O表示可有可无,当无时即为-H);
各自独立地表示单键或下列基团中的任一基团:
n、m各自独立地表示0、1或2。
由于采用了上述技术方案,本发明所取得的技术进步在于:
本发明公开了一种负介电各向异性液晶介质,该液晶介质性能优异,光学各向异性在0.080~0.150范围内,并且具有低的旋转粘度、较快的响应时间、适当的负介电各向异性、高的清亮点和良好的低温可靠性,非常适用于制造VA模式的液晶显示元件,尤其适合于有源矩阵显示元件,如使用ECB、FFS或IPS、MVA、PVA或HVA效应的有源矩阵显示器。
本发明提供的通式Ⅱ所示化合物,由于引入了(环丁基)或(环戊基)取代基,不仅增大了具有极性负性的通式Ⅱ所示液晶化合物在液晶介质中的互溶性,也同时提高了其清亮点和K33数值;因而使得包含有通式Ⅱ所示液晶化合物的液晶介质也具有很高的清亮点、大的介电各向异性和大的K33值。正是因为通式Ⅱ所示液晶化合物具有此类优点,未来将成为有源矩阵显示元件用液晶介质的所需液晶化合物。
本发明提供的通式Ⅰ1和通式Ⅰ2所示的介电中性的化合物,一般具有较小的黏度和良好的互溶性。根据实际需要,可以加入适量的通式Ⅰ1和通式Ⅰ2化合物来对液晶介质的各项特性进行调整。
本发明所提供的液晶介质还可以包含一种或多种通式Ⅲ所示的介电负性化合物
其中,
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