[发明专利]一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构及制作方法有效
| 申请号： | 201410531269.2 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104242056A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 唐祖荣;周勇;陈文胜;段利华;吴天伟;田坤 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 隔离 能力 波导 芯片 结构 制作方法 | ||
1.一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构，其特征在于，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源层、上波导层、P型上限制层、P型高掺杂层和N型隔离层，所述N型隔离层和P型高掺杂层上设有电流注入窗口，所述电流注入窗口设有在所述P型高掺杂层和P型上限制层中行进的脊波导，所述脊波导包括脊形台面和沟槽，所述有源层的发光窗口位于所述电流注入窗口下，除所述电流注入窗口下的有源层发光窗口对应的脊形台面外，剩余面均设有SiO2隔离膜。
2.根据权利要求1所述的能提高电隔离能力的脊波导芯片结构，其特征在于，所述SiO2隔离膜的厚度为350-450纳米，N型隔离层的厚度为90-110纳米，P型高掺杂层的厚度为290-310纳米，P型上限制层的厚度为1140-1160纳米。
3.根据权利要求1所述的能提高电隔离能力的脊波导芯片结构，其特征在于，所述电流注入窗口的深度为200-300纳米。
4.一种根据权利要求1所述的能提高电隔离能力的脊波导芯片结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、采用MOCVD工艺，在所述N型衬底上一次顺序生长N型缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源层、上波导层、P型上限制层、P型高掺杂层和N型隔离层；
S2、在所述N型隔离层和P型高掺杂层上形成电流注入窗口；
S3、在所述电流注入窗口形成在所述P型高掺杂层和P型上限制层中行进的脊波导，所述脊波导包括脊形台面和沟槽；
S4、在除所述电流注入窗口下的有源层发光窗口对应的脊形台面外，剩余面上形成SiO2隔离膜。
5.根据权利要求4所述的能提高电隔离能力的脊波导芯片结构的制作方法，其特征在于，其中形成所述电流注入窗口和脊波导包括通过刻蚀形成。
6.根据权利要求5所述的能提高电隔离能力的脊波导芯片结构的制作方法，其特征在于，所述电流注入窗口具体包括通过ICP刻蚀形成，其刻蚀形成的所述电流注入窗口深度为200-300纳米。
7.根据权利要求5所述的能提高电隔离能力的脊波导芯片结构的制作方法，其特征在于，用于刻蚀形成所述电流注入窗口的光刻单元板的长度和宽度，均比形成所述电流注入窗口的长度和宽度多17-23微米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所，未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410531269.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种摩托车火花塞帽
- 下一篇：一种ZnO单模紫外激光的实现与增强方法
