[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

光电转换元件；

第一晶体管；

第二晶体管；和

第三晶体管，

其中，所述第一晶体管的栅电极电连接至所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个，

其中，所述第一晶体管的所述栅电极电连接至所述第三晶体管的源电极和漏电极中的一个，

其中，所述第一晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接至第一线，

其中，所述第二晶体管的栅电极电连接至第二线，

其中，所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接至所述光电转换元件，

其中，所述第三晶体管的栅电极电连接至第三线，

其中，所述光电转换元件通过所述第二晶体管电连接至所述第一晶体管的所述栅电极，使得所述第一晶体管的所述栅电极能够存储电荷，

其中，所述第二晶体管的沟道包括第一氧化物半导体层，且

其中，所述第三晶体管的沟道包括第二氧化物半导体层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二晶体管的沟道宽度的每微米截止态电流在1V到10V的漏电压下为100aA/μm或更小。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层各自都包括铟、镓和锌。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体层中的载流子浓度低于1×10¹⁴A/cm³。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一晶体管的沟道包括晶体硅。

6.一种半导体装置，包括：

光电转换元件；

第一晶体管；

第二晶体管；和

第三晶体管，

其中，所述第一晶体管的栅电极电连接至所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个，

其中，所述第一晶体管的栅电极电连接至所述第三晶体管的源电极和漏电极中的一个，

其中，所述第一晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接至第一线，

其中，所述第二晶体管的栅电极电连接至第二线，

其中，所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接至所述光电转换元件，

其中，所述第三晶体管的栅电极电连接至第三线，

其中，所述光电转换元件通过所述第二晶体管电连接至所述第一晶体管的所述栅电极，使得所述第一晶体管的所述栅电极能够存储电荷，

其中，所述第一晶体管的沟道包括第一氧化物半导体层，

其中，所述第二晶体管的沟道包括第二氧化物半导体层，且

其中，所述第三晶体管的沟道包括第三氧化物半导体层。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第二晶体管的沟道宽度的每微米截止态电流在1V到10V的漏电压下为100aA/μm或更小。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层各自都包括铟、镓和锌。

9.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第二氧化物半导体层中的载流子浓度低于1×10¹⁴A/cm³。