[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜太阳电池器件及其制备方法

权利要求书

1.一种聚酰亚胺柔性衬底的铜锌锡硒薄膜的制备方法，其特征在于：采用共蒸发薄膜制备系统，应用共蒸发的制备工艺，锌蒸发源采用锌单质。

2.根据权利要求1所述的铜锌锡硒薄膜的制备的方法，其特征在于：本底真空为3.0×10^-4Pa，衬底温度为450-500℃，Cu蒸发源温度为1100-1200℃，Zn蒸发源温度为300-400℃，Sn蒸发源温度为1000-1100℃，Se蒸发源温度为220-240℃，共蒸发Cu、Zn、Sn、S四种元素，蒸发时间为30-50min，得到的薄膜为p型直接带隙半导体，锌黄锡矿结构。通过调整衬底、各蒸发源温度及共蒸时间，控制铜锌锡硒薄膜贫铜富锌，其中Cu/(Zn+Sn)＝0.8-1.0，Zn/Sn＝1.0-1.2，Se/(Cu+Zn+Sn)约等于1。随后将各蒸发源冷却到室温，同时将衬底冷却，当蒸发Sn和Se的同时将衬底冷却到300-350℃时，关闭Sn和Se蒸发源，再将衬底冷却到室温。

3.根据权利要求2所述的铜锌锡硒薄膜的制备的方法，其特征在于：优选的衬底温度为500℃，Cu蒸发源温度为1200℃，Zn蒸发源温度为400℃，Sn蒸发源温度为1000℃，Se蒸发源温度为230℃。