[发明专利]触控基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201410531442.9 申请日: 2014-10-10
公开(公告)号: CN104281351A 公开(公告)日: 2015-01-14
发明(设计)人: 曾亭;胡明;罗鸿强;李可丰 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 触控基板 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明属于显示技术领域,具体涉及一种触控基板及显示装置。

背景技术

具有触控功能的显示屏(触控屏)获得了越来越广泛的应用。而电容式触控屏是触控屏的一种重要形式,电容式触控屏中设有多个相互交叉的驱动电极(Tx)和感应电极(Rx),两种电极相邻处形成电容;各驱动电极以扫描形式加载驱动信号,感应电极上相应产生感应信号;当有触控发生时,人体或触控笔靠近触控区,影响该区域中两种电极间的电容,相应感应电极的感应信号发生变化,从而可确定触控位置。

为避免电极对显示造成影响,故传统驱动电极和感应电极由氧化铟锡(ITO)等透明导电材料制成,但氧化铟锡电阻高,会影响触控效果。因此,人们提出了Metal mesh(金属网格)技术,即用低电阻的金属材料(如银、铝、铜、钼、铌或其合金等)制造驱动电极和/或感应电极,由于金属不透明,故其被制成网格状。

一种Metal mesh触控基板如图1至图3所示,其可为显示屏最外侧的保护板,其触控结构设于基底9一侧(该侧朝向显示面板设置),在基底9周边设有一圈黑矩阵,用于遮挡触控结构的引线(图中未示出),引线设于黑矩阵远离基底9的一侧(从而当从基底9一侧看时,其被黑矩阵遮挡),用于将驱动电极1和感应电极2连接到触控芯片;在基底9中部设有多个沿行方向(横向)排列的驱动电极1和沿列方向(纵向)排列的感应电极2。其中,每个驱动电极1由位于一行中的多块菱形的驱动金属网11组成,相邻驱动金属网11间通过连接部12直接连接;而每个感应电极2由位于一列中的多块菱形的感应金属网21组成,感应金属网21与驱动金属网11同层,相邻感应金属网21间通过连接桥22连接,其中,连接桥22可由氧化铟锡制成(即为ITO桥);其中,驱动金属网11、感应金属网21、连接部12均设于基底上并同步形成,其上覆盖绝缘层4,连接桥22设于绝缘层4上,并通过绝缘层4中的过孔与感应金属网21相连,从而避免驱动电极1和感应电极2在交叠处导通。连接桥22实际位于绝缘层4之上,与金属网、连接部12不同层,但因绝缘层4是透明的,故在俯视图中连接桥22、金属网、连接部12等同时可见。

在以上例子中,驱动金属网11和感应金属网21均为菱形,当然,它们也可采用其他的形状,例如为条形等,只要二者能分别组成相互交叉的驱动电极1和感应电极2,且不同种电极的金属网相邻处能形成电容即可,在此不再逐一详细描述。

可见,Metal mesh触控基板的触控结构设在一块基板上,属于OGS(One glass solution)模式,有利于减薄触控屏厚度;同时其电极均位于一层中,故制备时仅需要:形成黑矩阵、形成金属层(包括驱动金属网11、感应金属网21、连接部12)、形成带过孔的绝缘层4、形成连接桥22这四道工序。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题:相邻感应金属网21间通过连接桥22连接,故在桥接的位置必然会产生结构的堆积,从而很容易导致抗ESD性能不高和桥接点可见的问题,而且触控基板的制作工艺步骤较为复杂。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括,针对现有的触控基板存在的上述问题,提供一种显示效果以及性能较好的触控基板及显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种触控基板,其包括:多条交叉设置的第一电极和第二电极,其中,所述第一电极和第二电极在交叉位置相接触且形成异质结。

本发明的触控基板,在第一电极与第二电极的交叉位置形成异质结,利用异质结的单向导通特性,从而使得第一电极与第二电极的信号互不干扰,进而使得触控基板的性能良好,同时避免了现有技术中由于桥接位置的膜层堆积容易导致ESD和桥接点可见的问题。

优选的是,每个所述第一电极包括多个第一子电极和用于连接两相邻第一子电极的第一连接部;每个所述第二子电极包括多个第二子电极和用于连接两相邻第二子电极的第二连接部;所述第一电极的第一连接部与第二电极的第二连接部交叉接触。

优选的是,所述第一电极由金属材料制成,所述第二电极由半导体材料制成。

进一步优选的是,所述半导体材料为石墨烯。

进一步优选的是,所述第一子电极的结构为金属网格。

优选的是,所述第一电极由n掺杂的半导体材料制成,所述第二电极由p掺杂的半导体材料制成。

进一步优选的是,所述n掺杂的半导体材料为掺杂氮原子的石墨烯;所述p掺杂的半导体材料为掺杂磷原子的石墨烯。

优选的是,所述第一电极为驱动电极,所述第二电极为感应电极。

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