[发明专利]一种结晶釉瓷砖及其生产方法有效
申请号: | 201410531455.6 | 申请日: | 2014-10-11 |
公开(公告)号: | CN104311155B | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 余爱民;夏昌奎;余剑峰;彭西洋;谢明锋 | 申请(专利权)人: | 杭州诺贝尔陶瓷有限公司 |
主分类号: | C04B41/86 | 分类号: | C04B41/86 |
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地址: | 311100 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结晶 瓷砖 及其 生产 方法 | ||
1.一种结晶釉瓷砖的生产方法,包括以下步骤:
1)结晶熔块的制备:按常规的玻璃熔块制备工艺,选择钾长石、钠长石、石英、白云石、方解石以及化工原料,通过配料、1220~1350℃熔制、水淬、烘干、破碎、过筛、分级工序,获得成分质量百分数为SiO2 45%~55%、Al2O3 5%~10%、CaO 8%~12%、MgO 0.5%~4%、K2O0.5%~3.5%、Na2O 0.5%~3.5%、B2O3 0.5%~5%、ZnO 15%~25%,余量为澄清剂和杂质,水分≤0.5%的粒径为4~60目的结晶熔块;
2)晶种的制备:将步骤1)制备的结晶熔块与氧化锌的比例为不高于7.5:1混合熔制成高锌熔块作晶种;或采用氧化锌作晶种;或采用任一种氧化锌质量百分数为不低于25%的高锌釉浆作晶种;或采用以上三种中的多种组合;
3)砖坯的制备:按常规方法制备瓷质砖坯体粉料,压制成型制备砖坯;
4)施布熔块和晶种:在步骤3)制备的砖坯表面施布结晶熔块,施布量为2~4kg/m2,在熔块下、中或上层施布少量晶种,或在其中任意多层位置均施布晶种;
5)烧制:将施好熔块和晶种的砖坯升温至1130~1200℃之间保温10~30min,接着降温至1000~1080℃,在此温度下保温1~2h,即可制得具有明显晶花效果的结晶釉瓷砖。
2.根据权利要求1所述的一种结晶釉瓷砖的生产方法,其特征在于:步骤4)中所述结晶熔块与一种高粘度熔块混合施布;所述高粘度熔块是成分质量百分数为SiO2 50%~70%、Al2O3 3%~8%、K2O 5%~8%、Na2O 4%~7%、B2O3 10%~20%、BaO 5%~10%,Li2O 0.5%~1.5%,余量为澄清剂和杂质,水分≤0.5%的粒径为4~60目的透明熔块干粒;高粘度熔块与结晶熔块的质量比例为1:99~1:9。
3.根据权利要求1或2所述的生产方法生产的结晶釉瓷砖,其特征在于:所述结晶釉瓷砖由位于下部的陶瓷坯体和位于上部的结晶釉层组成。
4.根据权利要求3所述的结晶釉瓷砖,其特征在于:在陶瓷坯体上施布化妆土,再在化妆土上覆盖结晶釉层。
5.一种用于结晶釉瓷砖的结晶熔块,其按照如下方法的制备:按常规的玻璃熔块制备工艺,选择钾长石、钠长石、石英、白云石、方解石以及化工原料,通过配料、1220~1350℃熔制、水淬、烘干、破碎、过筛、分级工序,获得成分质量百分数为SiO2 45%~55%、Al2O3 5%~10%、CaO 8%~12%、MgO 0.5%~4%、K2O 0.5%~3.5%、Na2O 0.5%~3.5%、B2O3 0.5%~5%、ZnO15%~25%,余量为澄清剂和杂质,水分≤0.5%的粒径为4~60目的结晶熔块。
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