[发明专利]光刻胶去除方法和光刻工艺的返工方法

说明书

本发明提供一种光刻胶的去除方法和光刻工艺的返工方法，通过首先使晶圆高速旋转，同时使用光刻胶稀释剂RRC溶解掉所述晶圆表面的部分厚度的光刻胶层，在溶解所述部分厚度光刻胶层的同时，所述光刻胶稀释剂RRC将光刻胶层中的比较大的颗粒缺陷冲走；然后再使用氧气等离子体去除剩余的光刻胶层，接着使用湿法清洗所述晶圆的表面，可以有效地完全去除所述光刻胶内的颗粒缺陷，减少了后续刻蚀工艺中出现图形失真缺陷的概率，提高了产品的良率。

技术领域

本发明属于半导体器件的制造领域，涉及一种光刻胶去除方法和光刻工艺的返工方法。

背景技术

在半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜版上的掩膜图形转移到晶圆表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、曝光和显影等步骤。涂胶的目的是在晶圆表面建立薄而均匀且没有缺陷的光掩膜层；曝光的目的是利用曝光光源将掩膜图形转移到光刻胶层中；显影是图形化光刻胶层，将光刻胶层进行曝光或者未曝光的区域去除，从而在晶圆表面形成图形化的光刻胶层。之后在图形化的光刻胶层的掩蔽下对晶圆进行刻蚀，就将掩膜图形转移到晶圆中，从而在晶圆中形成电路图形。

通常在显影工艺完成后，会对所形成的光刻胶层进行显影后检查(ADI，AfterDevelopment Inspection).然后，经常会在显影后检测步骤中发现所述晶圆10表面的光刻胶中有很多比较大的颗粒缺陷(particle)11，如图1a所示。出现这种情况，则需要返工(rework)，返工的程序一般是先将已形成的光刻胶去除，再重做一般光刻工艺步骤，最终形成满足产品要求的光刻图形。在返工中的重要的一步工艺就是将已形成的光刻胶去除。现有的光刻工艺返工的方法通常为：首先采用氧气等离子体灰化将去除所述光刻胶；然后通过湿法清洗所述晶圆的表面。

然而，在使用现有光刻工艺返工的方法对所述光刻胶中存在有比较大的颗粒缺陷11的所述晶圆10进行返工时，在等离子体灰化的过程中，所述比较大的颗粒缺陷11在所述等离子的作用下会与所述晶圆10的基底粘在一起，在后续的湿法清洗过程中，即使进行多次清洗仍然无法将其完全清除掉，如图1b所示。此时，将湿法清洗后的所述晶圆10进行重新进行旋涂光刻胶、曝光、显影等光刻工艺以后，这些粘附在所述晶圆10基底的比较大的颗粒缺陷 11不会对所述光刻工艺有明显的影响，再次进行显影后检测时，几乎检测不到缺陷的存在，如图1c所示。但在刻蚀工艺完成以后，在存在有所述粘附在所述晶圆10基底的较大的颗粒缺陷11的地方，会使得刻蚀的图形失真，在所述晶圆10的表面形成图形失真缺陷(pattern fail)12，如图1d所示。这些pattern fail会使得产品的良率降低，甚至使得整个晶圆报废掉。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光刻胶的去除方法和光刻工艺的返工方法，用于解决现有的方法不能将晶圆表面光刻胶中的颗粒缺陷完全去除，进而在刻蚀工艺中产生图形失真缺陷，从而使得产品的良率降低，甚至使得整个晶圆报废的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光刻胶的去除方法，所述方法至少包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆表面有光刻胶层；在所述光刻胶层表面涂覆光刻胶稀释剂RRC，通过所述光刻胶稀释剂RRC溶解去除部分厚度的所述光刻胶层；使用等离子体灰化去除剩余的所述光刻胶层；使用湿法清洗所述晶圆的表面。

可选地，在所述光刻胶表面涂覆光刻胶稀释剂RRC的步骤包括：将所述晶圆送入旋涂设备内，并将所述晶圆吸附在所述旋涂设备的真空吸盘上；旋转所述晶圆，并自所述晶圆表面的中央区域至所述晶圆表面的边缘往返喷涂所述光刻胶稀释剂RRC；停止喷涂所述光刻胶稀释剂RRC，并将所述晶圆旋干；停止旋转所述晶圆；将所述晶圆从所述旋涂设备中取出。

可选地，湿法清洗所述晶圆表面之后，还包括一使用所述光刻胶稀释剂RRC清洗所述晶圆表面的步骤。