[发明专利]一种微波等离子体辅助的多晶硅提纯方法无效
| 申请号： | 201410531694.1 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104310405A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 洪礼清;刘仁源;彭迟香;江永;李季;程正 | 申请（专利权）人： | 东莞市长安东阳光铝业研发有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨晞 |
| 地址： | 523871 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微波 等离子体 辅助 多晶 提纯 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种微波等离子体辅助的多晶硅提纯方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将硅料放置于反应炉的石墨坩埚后，将炉体抽真空至压力≤1Pa；
2)开启中频电源，以10～100℃/min的速率升温至1500～1650℃，加热直至硅料完全熔化；
3)开启微波源，通入反应气体，进行反应熔炼；
4)熔炼结束后，进行浇铸，得到纯度＞99.999％的高纯多晶硅；
所述反应炉是指具有减压模块、中频感应加热模块和微波发生模块的反应炉。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中所述硅料是纯度不高于99.9％的粉料或块料，其中杂质P、B、Fe、Al、Ca的含量分别不低于30ppm、18ppm、260ppm、180ppm和210ppm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应炉的中频频率为1k～3k Hz。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述微波源的频率和功率分别为2450MHz和1～2kW。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应气体选自Ar、N2、H2或HCl，气体流量为30～100ml/min。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，反应过程中真空压力为10-1～100Pa。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，反应熔炼温度＜1450℃，熔炼时间为0.5～2h。
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