[发明专利]具有芯片识别符结构的可垂直堆叠的裸片在审
申请号: | 201410532445.4 | 申请日: | 2010-10-07 |
公开(公告)号: | CN104392742A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 徐钟元 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G11C5/00 | 分类号: | G11C5/00;G11C8/12;G11C16/20 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 芯片 识别 结构 垂直 堆叠 | ||
1.一种半导体装置,其包括:
裸片,其包括第一穿硅通孔以传送芯片识别符和其它数据;以及
芯片识别符结构,其包括至少两个穿孔,所述至少两个穿孔各自硬连线到外部电触点。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述外部电触点耦合到芯片选择信号。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其进一步包括到芯片识别解码逻辑,所述芯片识别解码逻辑耦合到所述芯片识别符结构。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其进一步包括到通往主机装置的接口。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中所述主机装置为单独装置或母裸片。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述外部电触点耦合到电压源或耦合到接地。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述电压源或所述接地是从封装衬底或母裸片接收的。
8.根据权利要求3所述的半导体装置,其进一步包括芯片识别符选择逻辑,所述芯片识别符选择逻辑包括所述芯片识别解码逻辑且响应来自主机装置的芯片选择信号。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中所述芯片识别符选择逻辑在所述芯片识别符结构中的所述至少两个穿孔处检测电压源或接地。
10.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述两个穿孔中的每一者具有耦合到在所述芯片识别符结构中的相邻穿孔的垫。
11.根据权利要求1所述的半导体装置,其进一步包括选自由以下各项组成的群组的装置:机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机,所述半导体装置集成到所述装置中。
12.一种多裸片堆叠式半导体装置,其包括:
第一裸片,其包括第一芯片识别符结构,所述第一芯片识别符结构包括数目N个穿孔,所述穿孔各自硬连线到第一组外部电触点,所述数目N包括大于一的整数;以及
第二裸片,其包括第二芯片识别符结构,所述第二芯片识别符结构包括N个穿孔,所述穿孔各自硬连线到第二组电触点。
13.根据权利要求12所述的多裸片堆叠式半导体装置,其中所述第一组外部电触点中以及所述第二组外部电触点中的每一外部电触点耦合到接地或耦合到电压源。
14.根据权利要求12所述的多裸片堆叠式半导体装置,其中所述N个穿孔中的每一者具有耦合到在所述第一芯片识别符结构和所述第二芯片识别符逻辑每一者中的相邻穿孔的垫。
15.根据权利要求12所述的多裸片堆叠式半导体装置,其进一步包括选自由以下各项组成的群组的装置:机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机,所述多裸片堆叠式半导体装置集成到所述装置中。
16.一种制作堆叠式多裸片半导体装置的方法,所述方法包括:
形成N个裸片的堆叠,其中每一裸片包括:
芯片识别符结构,其包括第一组N个穿孔,所述穿孔各自硬连线到一组外部电触点;
芯片识别符选择逻辑,其耦合到所述芯片识别符结构;以及
芯片选择结构,其包括耦合到所述芯片识别符选择逻辑的第二组N个穿孔,其中N为大于一的整数;以及
将每一组外部电触点中的每一外部电触点耦合到电压源或耦合到接地,其中所述第一组N个穿孔中的每一者具有耦合到邻近穿孔的垫,且所述第二组N个穿孔中的每一者耦合到其自己的相应垫。
17.根据权利要求16所述的方法,其中每一裸片进一步包括共用接入信道结构,所述共用接入信道结构包括多个穿孔。
18.根据权利要求16所述的方法,其中在供应所述电压源和所述接地的封装衬底上形成所述N个裸片的所述堆叠,且所述封装衬底具有形成于所述封装衬底的与所述N个裸片的所述堆叠相对的侧上的多个封装球,所述多个封装球包括至少N个芯片选择封装球,所述至少N个芯片选择封装球耦合到N个裸片的所述堆叠的一个裸片的所述芯片选择结构中的所述第二组N个穿孔。
19.根据权利要求18所述的方法,其中N个裸片的所述堆叠包括N个存储器裸片的堆叠。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司,未经高通股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410532445.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。