[发明专利]一种大面积硫化镉薄膜的制备方法

权利要求书

1.基于铜铟镓硒衬底使用化学水浴法高氨条件下制备大面积硫化镉薄膜制备。其特征在于：衬底由玻璃衬底上制备的MO和CIGS复合衬底构成，使用水浴锅是带有磁力转子改善温度梯度的大口径的水浴锅。使用不带有缓冲剂的氨水浓度较高的化学水浴方法制备面积为10cm×10cm的CdS薄膜。

2.一种如权利要求1所述的使用化学水浴法高氨条件下制备大面积硫化镉

薄膜制备方法，其特征在于：

1)对SLG/Mo/CIGS结构的衬底表面的清理和处理；

2)配置化学水浴所需要的试剂溶液然后将处理好的衬底放入溶液中；衬底的大小裁制为12cm×12cm；

3)将事先加热的水浴锅温度恒定80℃，将含有衬底和溶质的烧杯放入水浴锅中调节温度使得反应充分，并且无沉淀产生。将转子设定为140转/分钟；

4)反应40min后取出样品放入1L去离子水中用超声清洗10min。超声频率控制在25Hz；

5)将样品四个边缘裁各去1cm制成10cm×10cm避免边缘处由于杰布斯函数不同造成的衬底物吸附。

3.根据权利要求2设定转子转速调节温度使得反应充分其特征在于：在前20min使用转子转速为140转/分钟并且温度为80℃条件下反应过程从刚开始的无颜色变化到成为浑浊的橘黄色，然后关掉转子反应30min。达到约为50nm的厚度薄膜。

4.根据权利要求2所述基于铜铟镓硒衬底使用化学水浴法高氨条件下制备大面积硫化镉薄膜制备方法，其特征在于：实验化学计量比(CH3COO)₂Cd∶SC(NH2)₂∶NH₃＝0.001M∶0.0015M∶0.05M，温度设定为80℃，(CH3COO)₂Cd为了配成0.05M取药品量为26.652g，SC(NH2)₂为配成0.5M取药品23.124g，加入2L的去离子水搅拌均匀。将2L的(CH3COO)₂Cd溶液标志成1号液，将CH₃COONH₄ 2L溶液标志成2号液。取试剂调节试剂比例：1号液每次用20-25mL，2号液每次用25-30mL放入一个容积为2L的烧杯中，取含NH3质量比重为25％-28％的氨水37.5mL，加入去离子水稀释成1.8L。

5.一种如权利要求2支架的使用是用下面使用两个固定的锯齿形支架，将样品放在支架上垂直放置，搅拌转子在烧杯中心处，SLG/Mo/CIGS结构的衬底表面是面向转子处放置使得镀膜均匀并且提供更多的吸附空位。