[发明专利]固态非易失性存储单元的部分重新编程

权利要求书

1.一种用于数据管理的方法，包括

将数据写入固态非易失性存储单元的集合中，使得所述集合中的每个存储单元被写入到相关的初始编程状态；

检测所述集合中的所选的存储单元的编程状态的漂移；以及

将所选存储单元部分地重新编程以使被选中的存储单元返回到相关的初始编程状态，其中，所述集合中的至少一个其它存储单元未被部分地重新编程，

其中应用电荷的多个第一增量来将所选择的存储单元编程到初始化编程状态，并且其中随后施加电荷的多个第二增量以将所选存储单元部分地重新编程返回到初始编程状态，其中所述第二增量小于所述第一增量。

2.如权利要求1所述的方法，其中固态非易失性存储单元的所述集合包括闪存单元的行，通过在每个闪存单元的浮置栅极上累积电荷来编程所述闪存单元的行以并发存储一页数据。

3.如权利要求2所述的方法，其中将每个闪存单元配置为多级单元(MLC)，从而使得存储单元存储两页的数据。

4.如权利要求1所述的方法，其中施加第一写入脉冲持续时间以将每一个存储单元编程到相关的初始编程状态，以及随后施加第二写入脉冲持续时间以将所选存储单元重新编程到相关的编程状态，第二写入脉冲持续时间比第一写入脉冲持续时间短。

5.如权利要求1所述的方法，其中通过施加电压阈值到所选存储单元来检测其编程状态的漂移。

6.如权利要求1所述的方法，其中通过响应于与所选择的存储单元相关的误码率(BER)来检测编程状态的漂移。

7.如权利要求1所述的方法，其中通过响应于从所选定存储单元被编程到相关的初始编程状态起所经过的时间来检测编程状态的漂移。

8.根据权利要求1所述的方法，其中通过响应于与所选存储单元相关联的温度测量结果来检测编程状态的漂移。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述存储单元是电阻随机存取存储器(RRAM)单元、相变随机存取存储器(PCRAM)单元或自旋力矩转移随机存取存储器(STRAM)单元中选定的一个。

10.如权利要求1所述的方法，其还包括，在与所选存储单元相关联的控制数据中，将所选存储单元标记为已经过重新编程。

11.一种用于数据管理的装置，其包括：

配置成可寻址单元的固态非易失性存储单元的阵列；

写入电路，适用于将数据写入到存储器中选定的可寻址单元，使得在所选择的可寻址单元中的每个存储单元具有相关联的初始编程状态；以及

部分重新编程电路，用于检测所选择的可寻址单元中的至少一个存储单元的编程状态的漂移，并指导写入电路对将所选择的可寻址单元中的不到全部存储单元部分地重新编程到相关初始编程状态，

其中所述写入电路应用电荷的多个第一增量来将所选择的可寻址单元编程到初始化编程状态，并且其中所述写入电路随后施加电荷的多个第二增量以将所选可寻址单元部分地重新编程返回到初始编程状态，其中所述第二增量小于所述第一增量。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，其中所选择的可寻址单元是闪存单元的行，其中所述写入电路累积和转移电荷的第一增量到闪存单元以将一页数据写入到所述行，并且所述写入电路累积和转移电荷的第二增量以将所述行的闪存单元部分地重新编程，其中电荷的第二增量小于电荷的第一增量。

13.如权利要求11所述的装置，其中施加第一写入脉冲持续时间以将每一个存储单元编程到相关的初始编程状态，以及随后施加第二写入脉冲持续时间以将所选存储单元重新编程到相关的编程状态，第二写入脉冲持续时间比第一写入脉冲持续时间短。