[发明专利]一种具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201410534795.4 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104299999B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;潘沛霖;王康;刘东;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/43;H01L29/10 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 介质 氮化 镓基异质结 场效应 晶体管 | ||
1.一种具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管，其结构由下至上依次主要有衬底(101)，氮化镓缓冲层(102)，氮化镓沟道层(103)以及铝镓氮势垒层(104)，在所述铝镓氮势垒层(104)上表面的两端分别设有源极(106)、漏极(107)，所述源极(106)和漏极(107)均与所述铝镓氮势垒层(104)成欧姆接触，其特征在于，在所述源极(106)与漏极(107)之间、并于铝镓氮势垒层(104)上表面还设有复合栅介质层，在所述复合栅介质层上表面形成与所述复合栅介质层成MIS结构的栅极(108)，所述复合栅介质层由介电常数不同的高介电常数栅介质层(201)与低介电常数栅介质层(202)横向连接组成，所述高介电常数栅介质层(201)所用材料的介电常数大于所述低介电常数栅介质层(202)所用材料的介电常数，所述高介电常数栅介质层(201)的另一侧与所述源极(106)邻接，所述低介电常数介质层(202)的另一侧与所述漏极(107)邻接。
2.根据权利要求1所述的具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管，其特征在于，所述的高介电常数栅介质层(201)与低介电常数栅介质层(202)的上表面均与所述栅极(108)的下表面直接接触。
3.根据权利要求2所述的具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管，其特征在于，所述的高介电常数介质层(201)与低介电常数介质层(202)的交界面与所述栅极(108)的对称面重合。
4.根据权利要求1所述的具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管，其特征在于，所述的高介电常数栅介质层(201)由SiO2、Si3N4、Al2O3、HfO2和TiO2组成的物质中选择的一种物质制成。
5.根据权利要求1所述的具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管，其特征在于，所述的低介电常数栅介质层(202)由SiO2、Si3N4、Al2O3、HfO2和TiO2组成的物质中选择的一种物质制成。
6.根据权利要求1所述的具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管，其特征在于，所述的高介电常数栅介质层(201)与低介电常数栅介质层(202)的厚度相等均为Td，且满足1nm≤Td＜0.5μm。
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