[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的栅极结构和层间介电层的前端器件，在所述层间介电层内形成位于设置于漏区的浅沟槽隔离的上方的虚拟接触孔；

步骤S102：在所述虚拟接触孔内形成虚拟接触孔介电填充层；

步骤S103：去除所述层间介电层位于源线区与所述漏区的部分以形成接触孔；

步骤S104：在所述接触孔内形成导电连接件。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，形成所述虚拟接触孔的方法包括：

在所述层间介电层上形成在设置于漏区的浅沟槽隔离的上方具有开口的掩膜层；

利用所述掩膜层对所述层间介电层进行刻蚀，以在所述层间介电层内形成所述虚拟接触孔。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述掩膜层包括光刻胶，并且所述掩膜层通过光刻工艺实现，其中，所述光刻工艺采用干式或湿式扫描式光刻机实现，或采用纳米压印技术实现，或采用自组装工艺实现。

4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅极硬掩膜，并且，所述刻蚀采用基于碳氟化合物的等离子刻蚀，所述刻蚀对所述层间介电层与所述栅极硬掩膜的刻蚀选择比为1～10，所述刻蚀对所述层间介电层与所述半导体衬底的刻蚀选择比为1～10。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括：

步骤S1021：形成覆盖所述虚拟接触孔的底部与侧壁以及所述层间介电层的第一介电层；

步骤S1022：在所述虚拟接触孔的剩余空间内形成第二介电层，对所述第二介电层进行回刻蚀以使所述第二介电层的上表面低于所述层间介电层的上表面；

步骤S1023：形成覆盖所述第二介电层的第三介电层，对所述第三介电层进行回刻蚀以暴露出源/漏极区域。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1022中，所述回刻蚀采用干法刻蚀或湿法刻蚀实现，其中所述回刻蚀的刻蚀量为

7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，形成所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的方法包括化学气相沉积法、原子层沉积法、或炉管工艺。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅极和位于所述栅极之上的栅极硬掩膜，其中，所述栅极硬掩膜的材料包括二氧化硅、氮化硅或金属，形成所述栅极硬掩膜的方法包括化学气相沉积法、物理气相沉积法、原子层沉积法或炉管工艺。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，去除所述层间介电层位于源线区与漏区的部分的方法包括湿法刻蚀。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述前端器件还包括位于所述层间介电层下方的接触孔刻蚀阻挡层，并且，在所述步骤S103与所述步骤S104之间还包括步骤S1034：去除所述接触孔刻蚀阻挡层位于所述接触孔底部的部分。

11.一种电子装置，其特征在于，包括电子组件以及与该电子组件相连的半导体器件，其中所述半导体器件采用权利要求1至10任一项所述的半导体器件的制造方法制备。