[发明专利]一种MEMS器件的真空封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层（3）、结构层（2）、盖帽层（1）组成，其特征在于：引线孔（6a）开设在衬底层（3）上，金属电极（6）设置在衬底层（3）中引线孔位置的顶层硅的电极引线（3b）上，盖帽层（1）粘贴在管壳（8）上。

2.一种MEMS器件的真空封装结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

a、制作衬底层（3），在SOI硅片上先刻蚀浅腔，然后刻蚀硅至埋氧层（3a），形成低阻硅电极引线（3b）；

b、将SOI硅片结构层（2）与器件衬底层（3）进行硅硅键合；

c、去除结构层（2）中SOI硅片的衬底硅（2b）和埋氧层（2a），然后经过刻蚀形成可动结构（5）；

d、在SOI硅片盖帽层（1）上先刻蚀浅腔，然后刻蚀硅电极（4b）至埋氧层（1a），再在键合密封环（4）及硅电极（4b）上溅射共晶金属层（4a）；

e、将器件盖帽层（1）与结构层（2）对准进行共晶键合；

f、对衬底层（3）的SOI硅片衬底硅减薄，然后刻蚀引线孔（6a）孔至电极引线（3b），在电极引线（3b）上溅射金属电极（6）。