[发明专利]一种沟槽MOS单元及其制备方法

权利要求书

1.一种沟槽MOS单元的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：沟槽刻蚀完成后，额外进行若干微刻蚀，植入与外延层同型离子，根据目标导通电阻设置离子掺杂区中的离子比例；所述微刻蚀包括在沟槽底部或者壁部刻蚀微型沟槽；其中，将外延层分为若干区域，最内层区域为圆形或椭圆形，其外套设若干环形区域，从最内层区域到各环形区域，每一区域注入相异能量与剂量的相同或相异离子，内部区域的能量与剂量大于外部区域的能量与剂量，并且，根据区域的面积差异设置各区域能量与剂量的差值，每一区域的面积与其能量和剂量的积为一特定数值，各区域的该特定数值相等设置。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，根据外延层设置所述离子掺杂区中的离子。

3.根据权利要求2所述制备方法，其特征在于，在所述离子掺杂区上设置氧化层。

4.一种沟槽MOS单元，其特征在于，包括离子掺杂区；所述沟槽MOS单元采用如权利要求1所述制备方法获得。

5.根据权利要求4所述沟槽MOS单元，其特征在于，所述离子掺杂区中的离子根据外延层设置。

6.根据权利要求5所述沟槽MOS单元，其特征在于，所述离子掺杂区设置在刻蚀完成的沟槽上。

7.根据权利要求6所述沟槽MOS单元，其特征在于，所述离子掺杂区上设置氧化层。