[发明专利]一种太阳电池用叉指状电极有效
申请号: | 201410537575.7 | 申请日: | 2014-10-13 |
公开(公告)号: | CN104362190B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 贾河顺;徐振华;任现坤;姜言森;刘兴村;张春艳;马继磊 | 申请(专利权)人: | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 于晓晓 |
地址: | 250103 山东省济南*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 用叉指状 电极 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池的一种电极结构,具体公开了一种太阳电池用叉指状电极。
背景技术
传统太阳电池的正副电极分别位于太阳电池的两面,采用的是分别印刷的方法,特别的是正面电极的设计方法如图1所示,采用多根同性电极(正极或负极)在太阳电极同一侧的图案设计方法,这种太阳电池图案不能用于背接触太阳电池。在背接触太阳电池(例如授权公告号为CN 102185030 B; CN 102185031的专利中所述结构)的电极图案设计中,由于太阳电池的正副接触电极均位于太阳电池的背面,所以一般采用如图2所示的电极,这种电极结构由于电极接出点面积较少,电极焊接的焊接拉力会较小,另外必须使用异于传统太阳电池组件生产线的封装工艺,成本较高。
发明内容
本发明的目的就是针对正负极在一侧的太阳电池所存在的上述缺陷而设计的,本发明可以与传统生产线兼容,并且成本较低,满足焊接拉力等可靠性测试。
本发明的一种太阳电池用叉指状电极技术方案为,叉指状电极设置在太阳能电池片背光面,叉指状电极由正极和负极组成,正极和负极都分别由主栅线和副栅线组成,主栅线与副栅线垂直并且连接,主栅线由两条以上的粗栅线段通过细栅线连接而成;正极和负极的副栅线互相平行且相互间隔排列。
正极主栅线与负极主栅线的条数相同。
位于太阳能电池片边缘的主栅线的粗栅线段比其他主栅线的粗栅线段的宽度窄。
位于太阳能电池片边缘的主栅线的粗栅线段宽度为0.05-2.4mm;其他主栅线的粗栅线段宽度为0.06-2.5mm。
优选的,位于太阳能电池片边缘的主栅线的粗栅线段宽度为2mm;其他主栅线的粗栅线段宽度为1.2mm。
连接主栅线上的粗栅线段之间的细栅线宽度为5-100微米。
优选的,连接主栅线上的粗栅线段之间的细栅线宽度为45微米。
副栅线宽度为5-100微米。
正极或负极主栅线至少为2条。
本发明的有益效果为:本发明的一种太阳电池用叉指状电极,用于背接触式异质结太阳电池(授权公告号为CN 102185030 B; CN 102185031的专利中所述结构)的背面,相对于传统的叉指状电极可以提高效率0.3%,其主要原因在于叉指状电极的优化设计,增加的背面电极的钝化面积,提高了开路电压,并减少了串联电阻。
该结构可以平衡的导出太阳电池的电流,且有利于电池之间的串并联,利用在背接触太阳电池上可以增加电极的焊接拉力。
附图说明:
图1所示为传统太阳电池的正面电极结构;
图2所示为现有技术中背接触太阳电池的电极图案设计;
图3所示为本发明实施例1的一种太阳电池用叉指状电极的结构示意图;
图4所示为本发明一种太阳电池用叉指状电极的电池片串联结构示意图。
图中,1.太阳能电池片,21.位于太阳能电池片边缘的正极主栅线,22.其他正极主栅线,23.正极副栅线,31.其他负极主栅线,32.位于太阳能电池片边缘的负极主栅线,33. 负极副栅线,4. 防呆标示,5.焊带,6.细栅线,7. 粗栅线段。
具体实施方式:
为了更好地理解本发明,下面结合附图来详细说明本发明的技术方案,但是本发明并不局限于此。
实施例1
一种太阳电池用叉指状电极,叉指状电极设置在太阳能电池片1,叉指状电极由正极和负极组成,正极和负极都分别由主栅线和副栅线组成,主栅线与副栅线垂直并且连接,主栅线由两条以上的粗栅线段7通过细栅线6连接而成;正极副栅线23和负极副栅线33互相平行且相互间隔排列。
正极主栅线为两条,负极主栅线为两条。正极主栅线与负极主栅线相互平行且等距间隔分布,即,两条相邻正极主栅线之间设置有一条负极主栅线,两条相邻负极主栅线之间设置有一条正极主栅线。具体排列依次为:位于太阳能电池片边缘的负极主栅线32、其他正极主栅线22、其他负极主栅线31、位于太阳能电池片边缘的正极主栅线21。
位于太阳能电池片边缘的正极主栅线21的粗栅线段宽度为2mm;其他正极主栅线22的粗栅线段宽度为1.2mm。
位于太阳能电池片边缘的负极主栅线32的粗栅线段宽度为2mm;其他负极主栅线31的粗栅线段宽度为1.2mm。
连接主栅线上的粗栅线段之间的细栅线宽度为45微米。
副栅线宽度为45微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的