[发明专利]OLED器件的制备方法及其制得的OLED器件在审
申请号: | 201410537662.2 | 申请日: | 2014-10-13 |
公开(公告)号: | CN104241553A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 刘亚伟;王宜凡 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 器件 制备 方法 及其 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED器件的制备方法及其制得的OLED器件。
背景技术
有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode,OLED)是一种极具发展前景的平板显示技术,它不仅具有十分优异的显示性能,还具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性,被誉为“梦幻显示器”,再加上其生产设备投资远小于液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD),得到了各大显示器厂家的青睐,已成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。
半导体纳米晶(semiconductor nanocrystals,缩写NCs),是指尺寸为1-100nm的半导体纳米晶粒。由于半导体纳米晶的尺寸小于其他材料的激子波尔半径,表现出强的量子限域效应,呈现出新的材料性质,因此也称为量子点(quantum dots,缩写QDs)。
由于外部能量的激发(光致发光,电致发光,阴极射线发光等),电子从基态跃迁到激发态。处于激发态的电子和空穴可能会形成激子。电子与空穴发生复合,最终弛豫到基态。多余的能量通过复合和弛豫过程释放,可能辐射复合发出光子。
量子点发光二极管(Quantum Dots Light Emitting Diodes,QD-LEDs)具有重要的商业应用的价值,在最近十年引起人们强烈的研究兴趣。事实上,QD-LEDs相对于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes,OLEDs)有很多的优势:(1)量子点发光的线宽在20-30nm之间,相对于有机发光大于50nm的发光,FWHM要窄,这对于现实画面的色纯度起关键的作用。(2)无机材料相对于有机材料表现出更好的热稳定性。当器件处于高亮度或高电流密度下,焦耳热是使器件退化的主要原因。由于优异的热稳定性,基于无机材料的器件将表现出长的使用寿命。(3)由于红绿蓝三基色有机材料的寿命不同,OLEDs显示器的颜色将随时间变化。然而,用同一种材料合成不同尺寸的量子点,由于量子限域效应,可以实现三基色的发光。同一种材料可以表现出相似的退化寿命。(4)QD-LEDs可以实现红外光的发射,而有机材料的发光波长一般小于1微米。(5)对于量子点没有自旋统计的限制,其外量子效率(external quantum efficiency,EQE)有可能达到100%。
然而在OLED器件热蒸镀制程时需要使用精细掩膜板(Fine metal mask,简称FMM),不仅制程成本高,而且材料利用率低,良品率低。因此有必要研发一种新的制程简单,材料利用率高,良品率高的OLED器件。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED器件的制备方法及其制得的OLED器件,其发光层中的各种子像素均采用溶液成膜法制备,其中,至少一种子像素采用量子点制备,至少一种子像素采用有机发光材料制备,所述OLED器件的制作过程中不需要使用精细掩膜板,因此制作成本低,材料利用率高,良品率高。
为实现上述目的,本发明提供一种OLED器件的制备方法,包括:
步骤1、提供一基板,并在基板上依次形成阳极与空穴传输层;
步骤2、在空穴传输层上通过溶液成膜法制作发光层,所述发光层包括红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素,其中,至少一种子像素采用量子点制备,至少一种子像素采用有机发光材料制备;
步骤3、在发光层上依次形成电子传输层与阴极;
步骤4、提供一封装盖板,其设置于阴极上方,将所述基板与封装盖板通过密封胶框粘结起来,从而完成该OLED器件的封装。
所述阳极、空穴传输层、电子传输层、及阴极分别采用真空热蒸镀法制备;所述电子传输层由八羟基喹啉铝形成,所述空穴传输层由聚三苯胺或者聚乙撑二氧噻吩形成。
所述基板为TFT基板,所述基板与封装盖板由玻璃或柔性材料形成,所述基板与封装盖板中至少一个透光。
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