[发明专利]光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置及镀膜方法

权利要求书

1.一种光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置，其特征在于，包括可抽真 空的外筒和设置在所述外筒内的辊筒，所述外筒和所述辊筒同轴设置，所述辊 筒可绕轴线均匀自转，所述外筒的内部空间形成镀膜腔室，所述镀膜腔室内通 入有工艺气体，所述镀膜腔室为可同时实现PVD磁控溅射和CVD气相沉积的复 合镀膜腔室；

在所述外筒的内壁上且绕所述外筒的中心环形均布有至少两个磁控靶，在 所述辊筒的外壁上且绕所述辊筒的中心环形均布有若干待镀膜基材，至少两个 所述磁控靶在所述外筒内形成一个围绕或局部围绕所述辊筒的闭合的磁场。

2.根据权利要求1所述的光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置，其特征 在于，所述磁控靶为硅靶或石墨溅射靶，所述工艺气体为Ar和C-H烃类气体。

3.根据权利要求2所述的光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置，其特征 在于，所述磁控靶为非平衡磁场磁控靶。

4.根据权利要求1所述的光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置，其特征 在于，所述辊筒自转的时间为1～100转/分钟。

5.根据权利要求1所述的光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置，其特征 在于，所述镀膜腔室的工作温度为20℃～150℃。

6.根据权利要求1所述的光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置，其特征 在于，所述辊筒内并位于所述轴线上设置旋转轴，所述辊筒通过连接装置与所 述旋转轴连接，所述旋转轴的一端延伸至所述辊筒的外部与动力装置连接。

7.根据权利要求1所述的光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置，其特征 在于，所述磁控靶通过绝缘体固定在所述外筒的内壁上，所述辊筒上连接有偏 置电压，所述绝缘体一端与所述磁控靶连接，另一端穿过所述外筒并延伸至所 述外筒外，所述外筒的内壁上设置罩盖所述磁控靶和所述绝缘体的阳极罩，所 述阳极罩上对应所述磁控靶开设有靶孔，所述绝缘体内并位于所述磁控靶的一 侧设置磁铁，所述磁铁远离所述磁控靶的一侧设置阴极，所述阴极电连接有电 极。

8.根据权利要求7所述的光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置，其特征 在于，所述外筒外设置冷却水管，所述冷却水管的出水端延伸至所述绝缘体内 并位于所述磁控靶的一侧，用于对所述磁控靶进行冷却。

9.根据权利要求1所述的光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置，其特征 在于，所述外筒外设置抽真空装置，所述抽真空装置穿过所述外筒延伸至所述 镀膜腔室内，用于对所述镀膜腔室进行抽真空处理。

10.一种类钻石薄膜镀膜方法，采用权利要求1至9任一项所述的光学级 类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S100、若干待镀膜基材被均匀固定在辊筒的外壁上；

步骤S200、若干磁控靶被均匀固定在外筒的内壁上；

步骤S300、对设置所述外筒与所述辊筒之间的镀膜腔室进行抽真空处理；

步骤S400、向所述镀膜腔室通入相对应的工艺气体；

步骤S500、对所述磁控靶通电，高频、射频或脉冲直流磁控溅射电源，同 时旋转所述辊筒，对所述辊筒上的待镀膜基材进行镀膜。