[发明专利]一种硅基纳米激光器制备方法

权利要求书

1.一种硅基纳米激光器制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

S1：将原料硅粉、稀土铒盐、稀土镱盐、稀土钇盐按比例称重，放入瓷舟内得到单晶铒镱钇硅酸盐化合物原料；在洗净的硅片表面上滴加催化剂，置于空气中待干燥；单晶铒镱钇硅酸盐化合物原料中铒离子与镱离子的摩尔比范围为1:1～1:10，铒离子与钇离子的摩尔比范围为1:1～1:10；

S2：将所述瓷舟、所述硅片以通入气体的出风口方向，放入煅烧炉内；打开所述煅烧炉的通气阀，通入所述气体；

S3：将煅烧温度升至1080～1100℃，并保温60～270min；降温至600～650℃，并保温30～60min；降温至室温，将纳米线全面覆盖生长在其上的所述硅片取出；

S4：将所述纳米线从所述硅片上剥离，并制备成纳米线溶液；在所述硅片上滴加所述纳米线溶液，得到硅基纳米激光器；

S5：待所述硅片干燥后，通过拉曼测试仪获取所述硅基纳米激光器的激光谱。

2.根据权利要求1所述的硅基纳米激光器制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述稀土铒盐、所述稀土镱盐、所述稀土钇盐为硝酸盐、氯酸盐或醋酸盐中的一种。

3.根据权利要求1所述的硅基纳米激光器制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述催化剂为纳米金或纳米银。

4.根据权利要求1所述的硅基纳米激光器制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述气体为惰性气体或氢气与惰性气体的混合气体。

5.根据权利要求1所述的硅基纳米激光器制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述瓷舟与所述硅片之间留有预定距离，所述预定距离为0.5～3cm。

6.根据权利要求1所述的硅基纳米激光器制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述纳米线的直径为600～1000nm，长度为20～100um。

7.根据权利要求1所述的硅基纳米激光器制备方法，其特征在于，所述单晶铒镱钇硅酸盐化合物由单晶铒镱硅酸盐化合物替代，所述单晶铒镱硅酸盐化合物的原料为硅粉、稀土铒盐以及稀土镱盐。

8.根据权利要求1所述的硅基纳米激光器制备方法，其特征在于，所述单晶铒镱钇硅酸盐化合物由单晶铒钇硅酸盐化合物替代，所述单晶铒钇硅酸盐化合物的原料为硅粉、稀土铒盐以及稀土钇盐。