[发明专利]一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201410539188.7 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN104362179A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张莹;李鑫;朱红;于洪俊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的栅极、设置在所述栅极上且与所述栅极绝缘的有源层、相对而置且分别与所述有源层电性连接的源极和漏极，其特征在于：
所述有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层；其中，
所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述源极、漏极以及位于所述源极和漏极之间的间隙处的正投影，且覆盖所述栅极的正投影；
所述第二有源层位于所述源极和漏极之间的间隙处，且在衬底基板上的正投影位于所述栅极的正投影所在区域内。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二有源层位于所述第一有源层的上方且与所述第一有源层相互连接。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：设置在所述第一有源层与所述源极之间以及设置在所述第一有源层和所述漏极之间的欧姆接触层。
4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：设置在所述第二有源层上方且与所述第二有源层相互绝缘的遮光层；
所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二有源层的正投影。
5.如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二有源层的厚度大于所述第一有源层的厚度。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源层的厚度为60nm至100nm。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源层和所述第二有源层的厚度之和为100nm至500nm。
8.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置中包括如权利要求8所述的阵列基板。
10.一种如权利要求1-7任一项所述薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成栅极的图形；
在形成有所述栅极的衬底基板上形成第一有源层的图形；
在所述第一有源层上形成包括第二有源层、源极和漏极的图形。
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