[发明专利]一种低压有机电致蓝光发光器件及其制备方法有效
申请号: | 201410541061.9 | 申请日: | 2014-10-14 |
公开(公告)号: | CN104377309A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 吴晓明;张欣;王丽;辛利文;于倩倩;华玉林;印寿根 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300384 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 机电 致蓝光 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于有机电致发光技术领域,特别涉及一种低压有机电致蓝光发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)以其突出的优势, 正在逐步成为非常热门的新兴平板显示器产品,它所具有的亮度高、视角宽、功耗低、响应速度快、制备工艺简单和成本低,特别是高品质图像及便携、柔性等方面的优势,是其它的显示器(如:CRT、LCD、PDP等)都无法比拟的。有机电致发光器件被誉为新一代平板显示器,有着美好的应用前景。高效率的红、绿、蓝三基色的单色显示是实现全彩色化显示不可或缺的一部分。经过二十多年的研究发展,尤其是磷光材料的发现使得红、绿单色有机电致发光器件的性能已经达到实际应用的标准, 然而蓝光器件的亮度、效率、寿命仍然较差,其性能有待提高。
为了满足OLED的商业化要求,人们探索了很多方法来提高蓝光OLED器件的性能。例如,使用强空穴阻挡能力的电子传输层将激子限制在发光层中而使其充分发光。然而器件厚度增加会使器件的压降变大;另外电极和有机活性材料间普遍存在着能级不匹配的问题,这将阻碍载流子注入,从而使器件的发光特性变差;如果发光层是一种偏空穴传输的材料,则大量空穴会堆积在具有强空穴阻挡能力的电子传输层与发光层界面,堆积的空穴会造成激子的淬灭,影响了激子的辐射发光。此外,蓝光材料的禁带宽度(Eg)通常较大,发光器件所需的驱动电压较高,而有机发光材料在高电流密度下会产生过多的焦耳热从而降低器件的发光性能。
发明内容
本发明的目的是针对上述存在问题,提供一种低压有机电致蓝光发光器件及其制备方法,该有机电致蓝光发光器件含有p型掺杂注入层及空穴扩散层,提高了空穴的注入能力,同时避免了因大量空穴堆积而造成发光层中激子的淬灭,解决了器件在低压下实现高效发光的问题;具有低驱动电压、高亮度、高效率、稳定性好和制备工艺简单的特点。
本发明的技术方案:
一种低压有机电致蓝光发光器件,由带有ITO透明衬底、p型掺杂注入层、空穴传输层、具有空穴传输特性的发光层、空穴扩散层、电子传输层、电子缓冲层和金属背电极叠加组成,其中具有空穴传输特性的发光层采用具有空穴传输特性并具有与空穴传输层匹配的HOMO能级的蓝色发光材料;空穴扩散层为双极传输特性的有机半导体材料,空穴扩散层的HOMO能级介于发光层与电子传输层的HOMO能级之间,光致发光光谱与发光层的吸收光谱有重叠,所用材料的禁带宽度大于发光层所用材料的禁带宽度;各薄膜层的厚度分别为p型掺杂注入层2nm、空穴传输层40 nm、具有空穴传输特性的发光层30 nm、空穴扩散层3 nm、电子传输层30 nm、电子缓冲层0.8 nm、金属背电极120 nm。
所述p型掺杂注入层为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌(F4-TCNQ):三氧化钼(MoO3);空穴传输层为N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB);具有空穴传输特性的蓝色发光层为4,4'-[1,4-亚苯基二-(1E)-2,1-乙烯二基]二[N,N-二苯基苯胺] (DSA-ph);空穴扩散层为9,10-双(1-萘基)蒽(ADN);电子传输层为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen);电子缓冲层为氟化锂(LiF);金属背电极为Al。
一种所述低压有机电致蓝光发光器件的制备方法,步骤如下:
1)首先将ITO透明衬底依次用乙醇、丙酮、异丙醇超声清洗后,用去离子水冲洗,经氮气吹干,在烘箱内120℃温度下烘干30min;
2)然后采用真空沉积的方法依次制备各层功能薄膜。
本发明的优点和积极效果是:
该有机电致蓝光发光器件含有p型掺杂注入层及空穴扩散层,选用两种常用的空穴注入材料掺杂后作为空穴注入层,解决了ITO与有机材料之间势垒不匹配的问题,提高了空穴的注入能力,同时避免了因大量空穴堆积而造成发光层中激子的淬灭,解决了器件在低压下实现高效发光的问题;选用不同的有机材料作为空穴扩散层可以分散堆积的空穴从而减少由于空穴堆积引起的激子淬灭,在低电压驱动下大幅提高了激子的利用率,同时空穴扩散层中也会有一部分载流子的复合形成激子,这部分激子可以将能量通过F?rster能量转移传递给发光层DSA-ph,从而扩大了激子的复合区域。空穴扩散层结构的核心为提高激子的利用率,同时扩大激子的形成区域,进一步降低了器件的驱动电压并提高了发光效率;具有低驱动电压、高亮度、高效率、稳定性好和制备工艺简单的特点。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择