[发明专利]一种电子倍增器打拿极的曲面成膜方法

权利要求书

1.一种电子倍增器打拿极曲面成膜方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1、按照电子倍增器打拿极外壳待镀膜内表面的尺寸和弧度，加工两端留有待弯折区的曲面内衬片；其中一端的待弯折区向曲面外反折180°，形成折起部；另一端的待弯折区切割型成n个矩形齿牙卡扣；n为大于或等于3的整数；

步骤2、对曲面内衬片的内曲面进行二次电子发射功能薄膜镀制；

步骤3、将镀膜后的曲面内衬片置于电子倍增器打拿极外壳内表面，并通过折起部和矩形齿牙卡扣与电子倍增器打拿极外壳进行固定。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述折起部长度为0.5mm。

3.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，在加工曲面内衬片时，将所述矩形齿牙卡扣向曲面外反折一定角度，令矩形齿牙卡扣与折起部平行。

4.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：

(1)清洗：将步骤1获得的曲面内衬片放入干净器皿中，用水冲洗干净，再分别用分析纯丙酮及分析纯酒精各超声波清洗10分钟～30分钟，然后用分析纯易挥发的有机溶液冲洗干净，用无屑擦拭纸擦拭至表面无划痕、擦痕和液滴残留痕迹；

(2)镀膜：将清洗后的曲面内衬片放入真空室，打开机械泵预抽，将真空室抽真空至1Pa，然后在机械泵保持工作的同时打开分子泵，待分子泵运转平稳后开启分子泵的抽气开关，将真空室抽真空至3.0×10^-5Pa，然后加热曲面内衬片至所需温度后保温，在曲面内衬片的内曲面上进行二次电子发射薄膜沉积。

5.如权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，将清洗后的曲面内衬片放入真空室之前，先清洗真空室，具体步骤包括：清除真空室内脱落的膜层及空气中的污染物，然后用脱脂纱布蘸无水乙醇擦拭干净真空室内壁。