[发明专利]用于检测栅极的底部缺陷的方法有效
申请号: | 201410541821.6 | 申请日: | 2014-10-14 |
公开(公告)号: | CN105513986B | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 殷原梓 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检测 栅极 底部 缺陷 方法 | ||
1.一种用于检测栅极的底部缺陷的方法,所述栅极位于芯片中,其特征在于,所述方法包括:
去除所述芯片中位于所述栅极的上表面上的部分;
湿法刻蚀去除所述栅极下方的栅氧化物层和所述栅极侧壁上的侧壁氧化物层;在所述湿法刻蚀的步骤中,采用HF溶液和CH3COOH溶液的混合液作为刻蚀液,所述HF溶液中HF的质量分数为49%,所述CH3COOH溶液中CH3COOH的质量分数为98%,所述HF溶液和所述CH3COOH溶液的体积比为1:1;在所述湿法刻蚀的步骤中,刻蚀温度为20~45℃,刻蚀时间为2~4min;
将所述栅极的上表面粘结在粘结板上;
检测所述栅极的底部缺陷。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述栅极的上表面粘结在所述粘结板上的步骤包括:
将所述芯片置于超声槽的溶液中,并对所述芯片进行超声震荡处理以使得所述栅极漂浮在溶液中;
将粘结板置于所述溶液中,以使得所述栅极的上表面粘结在粘结板上。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述超声震荡处理的步骤中,超声波频率为10~60KHz,处理时间为10~60s。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述溶液为丙酮。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,检测所述栅极的底部缺陷的步骤包括:
将所述粘结板未与所述栅极粘结的一面与扫描电子显微镜的样品台贴合;
采用所述扫描电子显微镜观察所述栅极的底部,并获得所述栅极的底部的SEM图片;
通过所述SEM图片对所述栅极的底部缺陷进行分析。
6.根据权利要求5所述的方法,采用所述扫描电子显微镜观察所述栅极的底部的步骤中,所述扫描电子显微镜的加速电压为1~5kV。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用化学机械研磨或刻蚀的方式去除所述芯片中位于所述栅极的上表面上的部分。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述栅极的材料为多晶硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410541821.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种全自动轮胎用RFID电子标签封装设备
- 下一篇:导电配线的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造