[发明专利]发光装置以及原子振荡器在审
申请号: | 201410542232.X | 申请日: | 2014-10-14 |
公开(公告)号: | CN104579337A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 西田哲朗 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H03L7/26 | 分类号: | H03L7/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 以及 原子 振荡器 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,包括:
第一导电型的第一半导体多层膜反射镜;
与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体多层膜反射镜;
形成于所述第一半导体多层膜反射镜与所述第二半导体多层膜反射镜之间的活性层;
形成于所述第一半导体多层膜反射镜与所述活性层之间的半绝缘型的第三半导体多层膜反射镜;
形成于所述第三半导体多层膜反射镜与所述活性层之间的所述第一导电型的接触层;
与所述第一半导体多层膜反射镜电连接的第一电极;
与所述第二半导体多层膜反射镜电连接的第二电极;以及
与所述接触层欧姆接触的第三电极,
所述第三半导体多层膜反射镜由带隙能量比在所述活性层产生的光的能量大的材料构成。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
在所述第一电极与所述第三电极之间通过第一电源施加电压,
在所述第二电极与所述第三电极之间通过与所述第一电源不同的第二电源施加电压。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
包括使在所述活性层产生的光偏振的偏振部。
4.根据权利要求3所述的发光装置,其特征在于,
所述活性层以及所述第二半导体多层膜反射镜构成柱状部,
所述偏振部包括与所述柱状部一体地构成的半导体层,
所述偏振部通过所述半导体层对所述活性层给予变形。
5.根据权利要求4所述的发光装置,其特征在于,
所述偏振部从所述第一半导体多层膜反射镜以及所述活性层的层叠方向观察,从所述柱状部向第一方向突出,
所述第一方向是与在所述第一电极与所述第三电极之间施加有电压的状态下所述第三半导体多层膜反射镜的折射率椭圆体的长轴方向或者短轴方向相同的方向。
6.一种原子振荡器,其特征在于,
该原子振荡器通过共振光对而使碱金属原子产生电磁感应透明现象,
所述原子振荡器包括:
发光装置,其产生具有两个不同的频率成分的所述共振光对而照射所述碱金属原子;和
光检测部,其检测透过了所述碱金属原子的光的强度,
所述发光装置具有:
第一导电型的第一半导体多层膜反射镜;
与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体多层膜反射镜;
形成于所述第一半导体多层膜反射镜与所述第二半导体多层膜反射镜之间的活性层;
形成于所述第一半导体多层膜反射镜与所述活性层之间的半绝缘型的第三半导体多层膜反射镜;
形成于所述第一半导体多层膜反射镜与所述第三半导体多层膜反射镜之间的所述第一导电型的接触层;
与所述第一半导体多层膜反射镜电连接的第一电极;
与所述第二半导体多层膜反射镜电连接的第二电极;以及
与所述接触层欧姆接触且与所述第三半导体多层膜反射镜电连接的第三电极,
所述第三半导体多层膜反射镜由带隙能量比在所述活性层产生的光的能量大的材料构成。
7.根据权利要求6所述的原子振荡器,其特征在于,包括:
光输出控制部,其基于所述光检测部输出的检测信号的强度,来在所述第二电极与所述第三电极之间施加电压,而控制所述发光装置的光输出;和
中心频率控制部,其基于所述光检测部输出的检测信号的强度,来在所述第一电极与所述第三电极之间施加电压,而控制所述共振光对的中心频率。
8.根据权利要求6或7所述的原子振荡器,其特征在于,
所述发光装置具有使在所述活性层产生的光偏振的偏振部。
9.根据权利要求8所述的原子振荡器,其特征在于,
所述活性层以及所述第二半导体多层膜反射镜构成柱状部,
所述偏振部包括与所述柱状部一体地构成的半导体层,
所述偏振部通过所述半导体层对所述活性层给予变形。
10.根据权利要求9所述的原子振荡器,其特征在于,
所述偏振部从所述第一半导体多层膜反射镜以及所述活性层的层叠方向观察,从所述柱状部向第一方向突出,
所述第一方向是与在所述第一电极与所述第三电极之间施加有电压的状态下所述第三半导体多层膜反射镜的折射率椭圆体的长轴方向或者短轴方向相同的方向。
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