[发明专利]背照式图像传感器的制作方法及背照式图像传感器在审
| 申请号： | 201410542471.5 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105575980A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王冲;奚民伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 制作方法 | ||
1.一种背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供衬底；
对所述衬底的背面一侧进行减薄处理；
对所述减薄处理后的所述衬底的背面进行第一次激光退火处理，以形成第一退火层；
在所述第一次激光退火处理后的所述衬底的背面一侧形成光电二极管。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一次激光退火处理的步骤中， 激光波长为200～350nm，激光能量密度为1.7～2.0J/cm2。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述第一次激光退火处理的步骤中， 表面处理温度大于1400℃，处理时间小于1μs。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第一次激光退火处理 的步骤中形成厚度为30～120nm的所述第一退火层。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述光电二极管的步骤包括：
对所述第一次激光退火处理后的所述衬底的背面一侧进行离子注入，以形成离子注 入区；
对所述离子注入后的所述衬底的背面进行第二次激光退火处理形成第二退火层，以 形成所述光电二极管。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述离子注入的步骤中形成位于所述 第一退火层中的所述离子注入区。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述第二次激光退火处理的步骤中，
形成厚度不小于所述离子注入区的厚度的所述第二退火层。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的制作方法，其特征在于，
所述衬底的导电类型为N型，所述离子注入区的导电类型为P型；或
所述衬底的导电类型为P型，所述离子注入区的导电类型为N型。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述减薄处理的步骤之前，将所述衬 底的正面与承载基板进行键合。
10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法进一步包括：在所述光电 二极管上依次形成滤波片和透镜。
11.一种背照式图像传感器，其特征在于，所述背照式图像传感器由权利要求1至10中任一 项所述的制作方法制作而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
